반도체 관련 뉴스에서 궁금한게 있습니다.

Q. 반도체 관련 뉴스에서 궁금한게 있습니다.

ddizy1999

Q6. HBM용 DRAM이라는 용어를 뉴스에서 쓰는데요. 일반적으로 컴퓨터에 쓰이는 DRAM하고 차이점은 뭔가요? 양산과정에서 어떤 차이점이 있는거죠? Q7. 양산 수율이 60% 이상이면 양산 승인을 받고 양산을 시작하는 것으로 알고있는데 맞나요? 기준이 궁금합니다 Q8. 현재 삼성전자, SK하이닉스 1c DRAM 수율은? Q9. 2025 3월에 하이닉스와 한화세미텍 420억원 규모 TC 본더 공급이라는 뉴스를 보았는데요. 궁금한 것은 'SK 하이닉스는 MR-MUF 방식을 써서 HBM3E를 만들고 앞으로도 MR-MUF 방식을 쓸텐데 왜 공급받는 거죠? 그리고 이미 HBM 전세대 맞나요? 거기서는 한미반도체의 TC본더를 구매해서 썼던 거 아닌가요?'

2025.08.29

답변 1

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멘티님 HBM용 DRAM은 일반 DRAM과 달리 수직 적층 구조로 칩을 여러 층 쌓아 대역폭과 속도가 월등히 높고 전력 효율성이 뛰어난 고성능 메모리이며, 컴퓨터 RAM과는 용도·구조·성능에서 큰 차이가 있습니다 HBM은 적층, TSV(관통실리콘비아), 고집적 패키징 등 양산 공정 구성 자체가 다르고 후공정 본딩 방식(MR-MUF 등) 등도 차별화되어 일반 DRAM보다 생산 난이도가 훨씬 높습니다 DRAM 양산은 수율 60% 이상에서 승인을 받는 것은 관례에 가까우며 실제로 주요 업체들은 수율이 50~60%대만 되어도 램프업(양산 시작)을 결정합니다 삼성전자와 SK하이닉스 1c DRAM 수율은 2025년 기준으로 50~60%대로 알려져 있으며 꾸준히 개선 중입니다 하이닉스가 TC본더를 새롭게 공급받는 것은 기존 한미반도체 장비에 추가로 ASMPT, 한화 담당장비를 병행해 물량과 공급 안정성을 높이기 위함이고, MR-MUF 방식과 TC본더는 수율 개선 및 생산 대응에 따라 병행 사용되고 있습니다 채택부탁드리며 파이팅입니다!
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2025.08.29
댓글 1
d
dizy1999
작성자
2025.08.30
6. 원하던 답변이 아닙니다. 제가 말씀을 잘 전달하지 못했나봅니다. HBM에 DRAM이 수직 적층 구조로 들어가는 것을 알고있습니다. 다만, 그때 사용되는 DRAM은 일반적으로 생산되는 DRAM과 같고 패키징만 다른건가요? 다시말해 전공정은 동일한건가요? 뉴스에서는 HBM용 DRAM이라는 표현을 쓰셔서 헷갈립니다. 7. 수율 60%가 관례가 된 이유나 당시 상황이 궁금합니다. 8. 제가 다시 찾아보니 하이닉스가 올해 3월 80% 수율달성이라고 들었습니다.... 답변의 출처를 알 수 있을까요? 9. 다시 찾아보니까, TC본더 장비가 MUF용과 NCF용으로 나뉜다는데, 왜 열압착이 아닌데 TC본더 범주에 MUF용 장비가 포함된건가요? 전반적으로 답변의 출처를 알고싶습니다.
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dizy1999

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2025.08.30

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