반도체 불량 파괴적 검사

Q. 반도체 불량 파괴적 검사

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안녕하세요. 반도체 EDS 테스트 이후, 불량 검사를 할때 전기적 TEST로 불량의 위치를 찾고, 파괴적 검사를 통해 불량을 분석하는 것으로 알고 있습니다. 1. 실제 현직에서 DRAM이나 낸드플레시, HBM의 불량 분석 시에 어떤 검사를 주로 사용하시는지 궁금합니다. 검사 예시: DC probe와 같은 전기적 검사, SEM TEM,FIB와 같은 파괴적 검사 2. 양산 기술이나 공정 기술에서 웨이퍼 불량 분석을 진행할때, SEM TEM 이미지를 통한 분석을 진행하는지 궁금합니다. 아니면 어떤 분석을 통해 불량을 검증하는지 궁금합니다.

2025.07.08

답변 1

프로답변러YTN
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채택된 답변
멘티님, DRAM, 낸드플래시, HBM 등 메모리 반도체의 불량 분석은 실제 현장에서 전기적 검사(DC probe 등)와 파괴적 검사(SEM, TEM, FIB 등)가 모두 활용됩니다. 먼저 EDS(Electrical Die Sorting) 테스트로 전기적 특성을 검사해 불량 칩의 위치를 찾고, 이후 SEM(주사전자현미경), TEM(투과전자현미경), FIB(집속이온빔) 등 파괴적 분석을 통해 결함의 원인과 구조적 문제를 정밀하게 파악합니다. DRAM과 낸드플래시는 프로브카드를 이용한 전기적 테스트로 불량 어드레스를 확인하고, HBM은 적층 구조 특성상 2D/3D 검사장비와 AI 기반 결함 분석 시스템도 활용됩니다. 양산 및 공정 기술에서는 웨이퍼 불량 분석 시 SEM, TEM 이미지를 통한 미세 결함 분석이 필수적으로 이루어지며, 최근에는 AI와 결합한 자동화 결함 분류도 도입되고 있습니다. 실제로 전기적 검사로 불량 위치를 특정한 뒤, SEM/TEM/FIB 등 파괴적 분석을 통해 불량의 근본 원인을 검증하고, 공정 개선 및 수율 향상에 반영하는 것이 일반적입니다. 채택부탁드립니다!
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2025.07.08
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