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Q. 플라즈마 형성 과정 질문입니다

Wafer에 Deposition하기 위해 -극에 target, +극에 Wafer를 연결한 상태라고 가정하겠습니다. +극과 -극에 전원이 연결된 챔버 내부에 있는 전자가 전기장의 영향을 받아서 +극으로 이동할 때, 중성자와 충돌하여 +이온과 전자로 쪼개진다고 알고 있습니다. 그리고 +이온이 -극의 target 물질에 충돌하여 target 물질을 sputter한다고 배웠는데, 여기서 질문이 있습니다. +이온은 target이 있는 -극으로 움직이면서 충돌하여 sputter하는데 전자가 +극으로 가속화해서 wafer에 충돌하는 것은 왜 wafer에 영향이 없나요?