자소서 · 모든 회사 / 모든 직무

Q. ALD, CVD 장비 관련 회사 공정개발 직무

반도체 관련으로 취업 준비 중인 화학공학과 학생입니다.
반도체 ALD, CVD 장비업체의 공정개발 부서 자소서를 작성중에 있습니다.
ALD,CVD 관련으로 질문을 드리기 위해 질문 드리게 되었습니다.

ALD,CVD 공정이나 장비에 대해 최근 이슈나 언급하면 좋을만한 내용이 있을까요?

최근 메모리 업계에서 NAND 분야도 DRAM처럼 3강 구도를 가져가기 위한 경쟁을 하고 있다는 것을 알고 있습니다.

이러한 업황과 ALD, CVD 장비와 관련이 있는 부분이 있을까요?

메모리쪽만 준비해봐서 반도체 장비는 파운더리에서 어떤식으로 이야기하면 좋을지 고민입니다.

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메모리 업계에서 3D NAND 개발을 위해 반도체 업계는 ALD, CVD 장비를 사용하고 있습니다. 메모리 업계에서 3D NAND 개발을 위해 ALD, CVD 장비는 사용하고 있는 것이 아니라, 메모리 업계에서 3D NAND 개발을 위해 고속 가공 및 정밀 에너지 관리가 필요합니다. ALD, CVD 장비는 메모리 업계의 3D NAND 개발을 위해 사용되는 장비로, 업계의 성능과 생산성을 향상시키기 위해 다양한 개선 사항이 수행되고 있습니다. 또한 업계가 이러한 장비를 사용하기 위해 보다 낮은 온도 및 저전력 공정을 요구하기 때문에 장비 개발에서는 보다 낮은 온도 및 저전력 장비 개발이 필요하게 되고 있습니다.

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엔지니어엔지니어
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ALD 전문 장비를 제작하는 네덜란드 회사인 ASM에서 엔지니어로 재직 중인 사람 입니다.
사실 신입으로서 산업에 관한 관심도 좋지만,
장비작동에 따른 이슈될만한 것을 해결해보고 싶은 시각이나 태도 자체가 좋을 것 같고..

ALD쪽에서는 예전에 비해 좀 더 고온의 공정 조건을 만들어내고 싶어합니다.
원자 단위로 쌓기 때문에 두께 균일도는 좋으나 기존 타 장비 대비 공정 완료 속도가 느리고,
가스 분사 위치, 압력에 따라, 웨이퍼 중앙에서 부터 멀어질 수록 박막 두께 차이 나는 부분도 있습니다.

질소나 아르곤을 통해 챔버내 분위기를 형성하고
SiH4 Gas를 주입하고 Rremote Flasma 통해 분자 단위를 깨주고 등등

작동 원리는 잘 아시라 생각 듭니다.


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