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Q. APCVD, LPCVD

apcvd는 상대적으로 저온, 물질 전달 제어 영역 lpcvd는 고온, 표면 반응 제어 영역에서 동작하는 걸로 알고 있습니다. 표면 반응 제어 영역은 온도에 따라 증착률이 민감하게 바뀌는데 그러면 lpcvd는 온도 의존성이 굉장히 커 공정 재현성이 떨어진다고 말할 수 있는건가요? 그리고 Si epitaxy를 할 때 1100도라는 고온이 필요한데 상대적으로 저온에서 동작하는 apcvd를 사용하는 까닭이 무엇인가요? 혹시 apcvd와 lpcvd의 동작영역은 각각 물질 전달 제어 영역, 표면 반응 제어 영역으로 고정된 것인가요? 제말은, apcvd를 표면 반응 제어 영역에서, lpcvd를 물질 전달 제어 영역에서 동작하도록 셋팅하여 적용할 수 있는 건가요?