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Q. RF power의 세기와 etch rate의 관계

안녕하세요. 반도체 산업군 취업을 희망하는 학생입니다. etch 공정에 대해 공부하는 중인데요, RF power의 세기가 증가하면 생성되는 플라즈마의 양이 증가해서 etch rate가 증가하는 것까지는 이해를 하였습니다. 1. 근데 RF power의 세기가 증가하면 etch uniformity는 어떻게 되나요? power의 세기는 uniformity와 관련이 없나요? 2. uniformity에 영향을 줄 수 있는 etch parameter에는 무엇이 있는지 알려주실 수 있나요? 2. RF power의 세기가 증가할 경우 이온이 더 강하게 내리쳐서 원치 않는 막질까지 physical etch 되어 etch의 profile이 더 안 좋게 나올 수도 있을까요? 감사합니다.