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안녕하세요 요즘 반도체 공부를 하면서 si. sic 를 기반으로 한 웨이퍼에 포토,식각,이온주입 등 여러 공정을 한다는 것을 알아가고 있습니다 그런데 여기서 궁금한게 예를들어 포토 공정의 경우 pr코팅 ㅡ 베이크 ㅡ 노광 ㅡ 디벨롭 등의 기본적인 과정이 있는데, si웨이퍼에서는 이대로 하고 sic는 다른 과정이 들어가는지 아니면 si. sic에서도 같은 과정을 진행하는데 si-sic 특성에 따라 약간씩 조건을 바꾸는지 궁금합니다
2025.07.25
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안녕하세요, 현재 은행 취업을 1차 목표로 두고 있는 막학기 대학생입니다. 생각없이 학교만 다니다 보니 어느새 졸업할 때가 되어서 슬슬 취업 준비를 시작하게 되었는데, 정확한 진로 방향도 아직 잡지 못한 상태입니다. 안정적인 직장을 원해서 일단 은행이나 공기업으로의 취업을 생각중인데, 점점 두 분야 모두 준비할 것들이 많고 어려워서 병행하기는 쉽지 않을 것 같다는 생각이 들었습니다. 지금 상황에서 두 분야를 모두 병행하는 게 맞을지, 금융권 취업만을 목표로 준비해나가는 게 좋을지 고민입니다.
군무원 건축직을 알아보던 중, 건축직 장&단점이 궁금해 질문 남깁니다!
1학년 코로나때 학사경고 2회 받고, 복학 후 4학년까지 총학점 3.0 입니다.. 취업은 할 수 있을지 걱정입니다.. 섬유공학 전공인데 어떤쪽으로 취업가능할지 궁금합니다!
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답변 2
채택된 답변안녕하세요. 멘티님. 반갑습니다. 저도 반도체 공정 현장에서 실리콘 웨이퍼와 SiC 웨이퍼 둘 다 직접 다뤄본 경험을 떠올려보면 기본적인 포토 공정 과정 자체는 Si나 SiC 모두 거의 동일하게 흐릅니다. PR 코팅부터 베이킹 노광 디벨롭 같은 기초 프로세스는 똑같이 진행하고 장비나 전체 라인 구성도 원리는 같아요. 다만 SiC는 재료 특성이 워낙 단단하고 표면이 고르지 않아서 실제 현장에서는 온도 세팅 현상 시간 사용 장비나 레시피 조건이 Si와 다르게 조정되는 부분들이 있었구요. 실제 작업할 때는 회로 패턴 크기나 PR 두께 베이크 온도 등 수치 조정이나 장비 파라미터를 따로 잡아주는게 필수입니다. 결국 SiC는 특성상 식각이나 이온주입에서도 파라미터 조정보다 중요하게 작용하고 포토에선 표면 처리나 세정과정과 현상 시간 같은 부분만 조금 다르게 들어갈 뿐 전체적인 흐름은 똑같이 따라갑니다. 그래서 포토 공정 과정 자체는 동일한데 실무에선 소재마다 세부적으로 관리하는 조건이 달라진다고 생각하고 공부해두시면 실제 면접이나 현장 투입 때 바로 적응할 수 있겠어요. 현장에서 이런 차이를 구체적으로 경험하게 되니 앞으로 실습이나 논문 볼 때도 이런 관점으로 접근해보시면 확실히 실무 감각이 빨리 늘더라구요. 모쪼록 도움이 되셨다면 채택부탁드립니다. 감사합니다.
채택된 답변멘티님, Si(실리콘)과 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 모두 포토 공정의 기본 과정인 PR코팅, 베이크, 노광, 디벨롭 등은 원리는 거의 동일하게 적용됩니다. 단, SiC는 Si에 비해 경도가 매우 높고 내열·내화학성이 강해서 식각 등 일부 공정에서 조건(플라즈마 세기, 식각가스 조성, 온도 등)을 조정해야 하고, 공정 장비의 마모 문제로 전용 부품을 쓰기도 합니다. PR(포토레지스트) 도포, 노광, 현상 방식은 동일하게 진행하나 SiC는 높은 온도 공정 등이 많아 포토 이후 세정·식각 단계에서 화학 조성, 시간, 온도 등을 더 엄격하게 관리합니다. 즉, 공정의 기본 흐름은 Si와 SiC 모두 같으며, 소재 특성에 맞춘 변수·조건만 일부 달라집니다. 채택부탁드립니다!
