취업 · 삼성전자 / 공정개발
소자 현상중 latch up이라는 현상이 구체적으로 어떻게 발생할 수 있을까요? 전자의 이동관점에서 설명이 가능할까요?
2024.08.29
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안녕하세요 멘토님들 다름이 아니라 반도체 직무 공정개발과 공정기술에 대해 여쭤보려고 합니다! 저는 공정기술 쪽으로 계속 준비를 해왔습니다. 다만 최근 공정개발 쪽도 추천을 받았습니다. 1) 반도체 직무 공정개발과 공정기술이 하는 일의 차이가 큰편인가요? 2) 또한 공정개발은 스펙을 많이 본다고 알고있는데 공정개발에서 공정개발로 이직을 하려면 낮은 스펙이 발목을 잡을까요? 3) 공정개발에서 공정기술로 이직은 어떤편인가요? 감사합니다.
안녕하세요! 저는 반도체 산업에 종사하길 원하고 이 분야에서 다방면으로 커리어를(해외교육포함) 쌓아가고 싶은 마음이 있는데 lg 엔솔이 아무래도 네임벨류가 있고 주변에서도 엔솔 알앤디가 더 나은거 같다는 말을 들었습니다. 배터리에서 반도체 이직이 그렇게 쉽지는 않을거 같은데 제가 외국계 장비사를 택하는 게 많이 이상한? 선택일까요ㅠ
안녕하세요 반도체 소자, 공정 연구실에서 석사과정 졸업후 취업 준비중입니다. 전자공학과 전공임에도 공정기술을 고려하는 이유는 8대공정의 유관부서를 이끌고 업무를 수행하는 공정설계보다 한가지를 깊게 파는 공정기술이 제 성격상 더 어울린다고 생각해서입니다. 하지만, 일반적으로 공정기술은 화공, 신소재공학 분들이 많은 것으로 알고 있습니다. 하지만 DNI 부서 같은 경우 MOSFET 동작에 직접적인 영향을 주는 공정이므로 전자공학과인 제가 기여할 수 있는 부분이 있을것이라고 생각합니다. 참고로 석사연구는 ALD 장비를 이용해 신유전막 공정을 최적화하고 메모리 소자에 적용시킨 내용이었습니다. 제 상황을 토대로 질문을 정리하면 다음과 같습니다. 1. 앞서 언급드렸던 저의 성격, DNI 부서가 하는 업무, 그리고 저의 석사연구를 생각했을 때 반도체연구소 공정기술 직무를 지원하는 동기로 충분한지+ 면접에서 설득력이 있을지 2. 실제 체감상 DNI 부서의 전공별 비율이 얼마나 되는지. 입니다.
안녕하세요 멘토님들 다름이 아니라 반도체 직무 공정개발과 공정기술에 대해 여쭤보려고 합니다! 저는 공정기술 쪽으로 계속 준비를 해왔습니다. 다만 최근 공정개발 쪽도 추천을 받았습니다. 1) 반도체 직무 공정개발과 공정기술이 하는 일의 차이가 큰편인가요? 2) 또한 공정개발은 스펙을 많이 본다고 알고있는데 공정개발에서 공정개발로 이직을 하려면 낮은 스펙이 발목을 잡을까요? 3) 공정개발에서 공정기술로 이직은 어떤편인가요? 감사합니다.
안녕하세요! 저는 반도체 산업에 종사하길 원하고 이 분야에서 다방면으로 커리어를(해외교육포함) 쌓아가고 싶은 마음이 있는데 lg 엔솔이 아무래도 네임벨류가 있고 주변에서도 엔솔 알앤디가 더 나은거 같다는 말을 들었습니다. 배터리에서 반도체 이직이 그렇게 쉽지는 않을거 같은데 제가 외국계 장비사를 택하는 게 많이 이상한? 선택일까요ㅠ
안녕하세요 반도체 소자, 공정 연구실에서 석사과정 졸업후 취업 준비중입니다. 전자공학과 전공임에도 공정기술을 고려하는 이유는 8대공정의 유관부서를 이끌고 업무를 수행하는 공정설계보다 한가지를 깊게 파는 공정기술이 제 성격상 더 어울린다고 생각해서입니다. 하지만, 일반적으로 공정기술은 화공, 신소재공학 분들이 많은 것으로 알고 있습니다. 하지만 DNI 부서 같은 경우 MOSFET 동작에 직접적인 영향을 주는 공정이므로 전자공학과인 제가 기여할 수 있는 부분이 있을것이라고 생각합니다. 참고로 석사연구는 ALD 장비를 이용해 신유전막 공정을 최적화하고 메모리 소자에 적용시킨 내용이었습니다. 제 상황을 토대로 질문을 정리하면 다음과 같습니다. 1. 앞서 언급드렸던 저의 성격, DNI 부서가 하는 업무, 그리고 저의 석사연구를 생각했을 때 반도체연구소 공정기술 직무를 지원하는 동기로 충분한지+ 면접에서 설득력이 있을지 2. 실제 체감상 DNI 부서의 전공별 비율이 얼마나 되는지. 입니다.
답변 4
채택된 답변안녕하세요! Latch-up 현상에 대해 궁금해하시는군요~ 전자의 이동 관점에서 설명해 드릴게요! Latch-up 현상은 반도체 소자에서 발생할 수 있는 일종의 전기적 고장인데요, 주로 CMOS기술을 사용하는 집적 회로에서 발생합니다. 이 현상은 두 개의 PNPN 구조가 형성되어 내부에 스크리닝 경로를 생성함으로써 발생해요. 구체적으로는, CMOS 소자에서 NMOS와 PMOS 트랜지스터가 서로 접속된 형태를 생각해보세요. 이때, 만약 전압이 특정한 레벨을 초과하거나 전류가 비정상적으로 흐르면, 내부의 PN 접합이 역방향 바이어스 상태에서 파괴될 수 있습니다. 이로 인해 상호작용하는 두 개의 트랜지스터가 연결된 형태로, 일종의 ‘피드백 루프’를 형성하게 되죠! 이 피드백 루프는 전자가 트랜지스터를 통해 계속해서 흐르도록 만들며, 이로 인해 전류가 급격히 증가하게 됩니다. 이 현상이 ‘latch-up’이라고 불리며, 전류가 과도하게 증가하면 소자가 손상되거나 회로가 고장날 수 있습니다! 전자의 이동 관점에서는, 전자가 트랜지스터 내부의 PN 접합을 통해 비정상적으로 계속해서 흐르게 되며, 이로 인해 회로 전체에 걸쳐 전류가 순환하면서 고장이 발생하는 것입니다. 따라서, Latch-up을 방지하려면 설계 시에 이런 피드백 루프가 형성되지 않도록 하는 것이 중요해요! 이해에 도움이 되셨기를 바라며, 자소서 작성이나 인터뷰 준비에 유용하길 바랍니다~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
