스펙 · 삼성전자 / 공정기술

Q. 반도체 공정기술 에칭 프로젝트

안녕하세요. 반도체 공정기술 직무를 희망하고 있는 취준생입니다. 현재 연구소에서 Si 8인치급 Fab공정 업무를 맡고있습니다. 에칭공정에서 via hole의 패턴을 실험계획법을 통해 인과관계를 확인하며 목표타겟에 맞게 레시피를 최적화 하려고 하는데 Uniformity를 어떤 변수 조절 시 체크하면 좋을지 고민입니다. 실험 순서는 다음과 같습니다. 1) 가스 혼합비(가스 3개, 유량) 2) 압력, power, bias power 3개 요인 두 실험에서 Uniformity를 보기 위해 각 조건마다 Wafer 1장을 쓰기엔 비용이 많이 들 것 같아서 둘 중 하나의 실험만 확인하려고 합니다. 어떤 변수에서 균일도를 확인하는게 좋을까요? 최적레시피는 2)에서 도출할 예정입니다. 제가 전자공학 전공인데 전공을 살려 2)에서 웨이퍼 단위로 실험을 하는게 좋을지도 고민 중에 있습니다.. 멘토님들의 조언 기다리고 있겠습니다. 감사합니다!!