Q. 삼성전자 반도체 연구소 CVD공정개발(공정기술직무)팀 희망 학생입니다.

답변 6

• M

  Memory Department삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 83% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  PECVD 장비에서 박막의 Uniformity를 저해할 수 있는 원인들은 여러 가지가 있어요! 우선, 가장 기본적으로는 장비의 설계와 구성 요소들이 영향을 줄 수 있는데요. 예를 들어, PECVD 챔버의 내부 구조가 균일하지 않거나, 전극의 디자인이 비효율적일 경우 증착 균일성이 떨어질 수 있어요. 또한, 가스 분포의 균일성을 유지하는 것이 중요한데, 가스의 유입 경로가 비효율적이거나 불균일하면 증착 결과에 영향을 미칠 수 있죠! 온도와 압력의 균일성도 큰 요소입니다. PECVD 공정에서는 온도와 압력이 고르게 유지되어야 하는데, 만약 온도나 압력이 특정 영역에서 차이가 나면 박막 두께가 달라질 수 있어요. 이와 함께, 가스 플로우의 속도와 방향도 영향을 미칠 수 있죠. 가스 플로우가 균일하지 않으면 증착 속도가 변동되어 결과적으로 박막의 Uniformity가 저해될 수 있습니다! 또한, 웨이퍼의 위치나 회전 상태도 중요한데요. 웨이퍼가 장비 내에서 제대로 위치하지 않거나, 회전이 고르지 않으면 증착 두께에 차이가 발생할 수 있어요. 마지막으로, 장비의 유지보수나 청결 상태도 무시할 수 없는데, 이물질이나 오염물질이 장비에 있으면 공정에 영향을 미칠 수 있습니다. 이러한 요소들을 분석하고 개선하는 과정이 정말 중요하죠! 공정 최적화를 위해서는 모든 가능한 원인들을 고려하고, 이를 어떻게 제어할 수 있을지를 체계적으로 분석하는 것이 필요해요. 이 경험이 여러분의 자소서에 멋지게 녹아들 것 같네요! 도움되셨길 바라요~ 응원합니다~!

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  댓글 1

  S

  SA46

  작성자

  2024.08.27

  안녕하십니까 선배님 우선 정말 성의있는 답변에 정말 감동했습니다 바로 채택했구요 !! 한 가지 궁금점이 다른 부분은 이해가 되었는데 회전이 고르지 않다는 말의 의미가 무엇일까요 ??

• 다

  다시 돌아온 상코미코

  코사장 ∙ 채택률 99%

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  채택된 답변

  안녕하세요 멘티님 해당 질문에 대해 답변 드리겠습니다. 인풋들 외에도 설비에 의해 생기는 다양한 문제들이 있습니다. 설비 내 전체적으로 고르게 온도가 유지되지 않는다던가 리크가 생겨 내부 가스의 분포가 달라지기도 합니다. 도움이 된 답변이라면 채택 부탁드려요! 취업에 성공하시길 바랍니다!

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  댓글 2

  S

  SA46

  작성자

  2024.08.27

  답변 감사드립니다 선배님 !! 처음에 데이터를 보고 우선 공정레시피 부터 최대한 최적화 한 뒤 설비적으로 문제는 없는지 고려하는게 맞을까요 ??(예를 들어 샤워헤드 클리닝은 잘 됐는지, 가스딜리버리에 문제는 없는지 등등이요 !! ) 그리고 레시피라는게(온도 압력 플라즈마 밀도)등이 맞을까요 ?

  S

  SA46

  작성자

  2024.08.27

  채택했습니다 !!

• 졸

  졸린왈루(주)KEC

  코사장 ∙ 채택률 98%

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  채택된 답변

  안녕하세요 멘티님. CVD 공정에서 Uniformity를 저해하는 요인에는 여러가지가 존재합니다. 예를 들면 가스 유량, 설비의 온도, 박막의 단차 등이 있습니다!

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  댓글 1

  S

  SA46

  작성자

  2024.08.27

  답변감사드립니다 선배님 채택했습니다 !

• 초

  초음파식가습기삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 76% ∙

  회사

  직무

  학교

  일치

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  채택된 답변

  안녕하세요~ Uniformity 를 저해하는 요소는 1. 설비 수명(RF TIME) : 플라즈마를 사용하는 경우 플라즈마에 의해 챔버 내부가 같이 식각이 되어 공정 분위기가 달라질 수 있습니다. 2. Center - Edge 구배 : 공절별로, 공정 조건별로 웨이퍼 Center-Edge Uniformity가 차이나는 경우가 많습니다. 이 경우 Gas 주입, ESC 온도 등을 Center/Edge 따로 조절하여 맞출 수 있습니다. 3. 빠르고 쎄게 증착(?) : 같은 두께를 증착하더라도 Plasma Power를 높이면 짧은 시간에 증착이 가능하겠지만 Uniformity가 떨어집니다. 공정시간을 조금 더 길게 잡고 power를 낮추면 uniformity를 잡을 수 있습니다.

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  댓글 1

  S

  SA46

  작성자

  2024.08.25

  1. 이러한 문제는 벽면의 재료를 플라즈마에 강한 재료로 바꾸거나, 챔버를 주기적으로 클리닝하거나, 벽면의 식각을 줄이는 레시피를 적용함으로써 해결할 수 있을까요? 2. center-edge uniformity차이를 gas주입, esc온도 등을 따로 조절한다고 말씀해주셨는데 gas가 주입되는 INLET이 여러개인 챔버여야 가능한 것일까요? 그리고 ESC온도는 부분적으로 조절이 가능한가요? 3. 플라즈마 power를 높이면 가스 내의 활성화 종의 밀도가 높아져 증착속도가 증가하고 이온화된 정도가 높아져 표면을 손상시켜 uniformity는 안좋아진다. 이렇게 이해하면 될까용?

• d

  dev.jelly삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 49% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  가스 비율이나 온도 등의 이슈들도 있을것 같아요. 하나 첨언하자면 꼭 현업에서 문제가 되는 것들로 연구 방향을 잡진 않으셔도 됩니다 논리성이 더 중요할것 같아요

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  댓글 1

  S

  SA46

  작성자

  2024.08.25

  답변 감사드립니다 !!!

• 탁

  탁기사삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 78% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  uniformity에 관련된 인자로는, 플라즈마균형값/ 설비온도분포, 플라즈마생성밀도, 가스 유량 및 혼합값등 일반적으로 설비파라미터가 공정에 영향을 끼치며, 공정시간/공정진행 중 설비이슈로인한 인터락 발생 등 공정관련 이슈도 존재합니다.~

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  댓글 1

  S

  SA46

  작성자

  2024.08.24

  설비 파라미터를 공정개발팀에서도 고려를 하나요? 고려를 한다면 설비기술팀에 요청해 개선하나용?

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  반도체

  설계팀

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