직무 · 삼성전자 / 공정기술

Q. 삼성전자 DS 메모리사업부 공정기술에서 증착 공정에서 주로 발생하는 이슈가 궁금합니다.

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현업에서 발생하는 증착 공정에서 주로 발생하는 이슈, 해결방안, 대안은 어떻게 되는지 궁금합니다. STI Gapfill 불량, Void, Field Leakage,Contact/Via Seam·Void, Particle Short·Open·Pinhole, In-Wafer Uniformity,Overhang·Poor Step Coverage, Junction Leakage, 절연막 Crack 등을 이론적으로 배웠습니다. 하지만, 현재 메모리 사업의 변화(베이스다이의 로직 기능, 3D 화 , 미세화등 )에 따라서 실제 공정에서 일을 하다보면 어디에서 가장 이슈가 많이 발생하고 어떻게 해결하시려하는지 구체적인 사항들이 궁금합니다. 답변 해주시면 감사하겠습니다 !


2026.09.13

답변 6

  • 흰수염치킨삼성전자
    코전무 ∙ 채택률 57%
    회사
    직무
    일치

    안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 적어주신 이슈들이 흔한게 나오고 공개할 수 있는 선에서의 이슈들이에요 해결방법은 보통 대외비고요 파라미터랑 설비를 이용해서 수정하고 필요에 따라 설계를 바꾸기도 해요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

    2026.09.15


  • 합격 기원삼성전자
    코상무 ∙ 채택률 59%
    회사
    학교
    일치

    최근 미세화/3D 적층 트렌드에서는 고종횡비 구조로 인한 Void/Seam과 Step Coverage 불균열이 큰 이슈로, ALD/Pulsed CVD 전환과 Precursor/공정 조건 최적화로 대응하는 추세입니다. 그 외 구체적인 세부 이슈와 대응 노하우 등은 기밀 영역이라 구체적으로 답변 드리기는 어렵고, 입사 지원자의 입장에서 이 내용을 알 필요도 없거니와 애초에 묻지도 않습니다. 입사 전 협업의 구체적인 이슈사항을 파악하려는 지원자들이 꽤 있는데 이는 좋은 접근 방법은 아니니, 신인 사원의 입장에서요 요구되는 내용 준비에 주력하시면 됩니다.

    2026.09.14


  • 취뽀도우미입니다대구교통공사
    코이사 ∙ 채택률 95%

    메모리 반도체 공정이 미세화되고 3D 구조로 고도화되며 베이스 다이의 로직 기능까지 복합화되는 추세 속에서 증착 공정의 난이도 역시 높아지고 있습니다. 질문하신 다양한 불량 중에서도 현업에서 가장 빈번하게 마주하고 집중적으로 관리하는 이슈는 단연 미세 패턴 내에서의 갭필 불량과 이에 동반되는 보이드 및 심 발생, 그리고 수율에 직결되는 파티클 관리입니다. 특히 수직 높이가 급격히 높아진 구조와 좁은 트렌치 내부를 빈틈없이 채워야 하는 3D 구조에서는 오버행 현상이나 푸어 스텝 커버리지 문제가 심화되기 쉽습니다. 이러한 이슈를 해결하기 위해 공정 기술 직무에서는 전구체와 반응 가스의 유량을 미세하게 조절하고 펄스 주기를 최적화하여 딥 트렌치 하부까지 반응물이 원활히 도달하도록 원자층 증착법 등의 공정 조건을 다각도로 튜닝합니다. 또한 인웨이퍼 유니폼ity를 확보하기 위해 챔버 내 온도 및 플라즈마 분포를 균일하게 유지하는 하드웨어적 개선과 레시피 개선을 병행합니다. 파티클의 경우 설비 오염원이 숏이나 오프닝 같은 치명적인 불량으로 이어지기 때문에 정기적인 인시튜 및 엑스시튜 클리닝 주기를 철저히 관리하고 실시간 이상 감지 시스템을 통해 수율 저하를 선제적으로 차단합니다. 증착 공정은 수많은 변수가 복합적으로 작용하므로 이론적 지식을 바탕으로 데이터 기반의 문제 해결 능력을 키우는 것이 중요합니다.

    2026.09.13


  • 메에모리삼성전자
    코상무 ∙ 채택률 48%
    회사
    일치

    이슈는 제품 세대별로 너무너무 다양하기 때문에 특정 이슈를 타겟하지 않는 것을 오히려 추천드립니다. 담백하게 학부 학생 입장에서 해결할 수 있는 문제들의 포커스 하는 게 더 신뢰도가 올라갈 것 같아요.

    2026.09.13


  • 합격 메이트삼성전자
    코부사장 ∙ 채택률 77%
    회사
    일치

    멘티님. 안녕하세요. ​삼성전자 메모리사업부 증착 공정에서는 고단화되는 3D NAND와 미세화되는 DRAM 공정에 따라 High Aspect Ratio 구조에서 Step Coverage 확보 및 Void 방지가 가장 핵심적인 이슈입니다. 종원자층 증착 기술을 활용해 박막 두께 균일도를 확보하고 갭필 특성을 개선하는 방향으로 현업에서 적극적인 대응이 이루어집니다. ​초미세화 패턴 내 파티클에 의한 Short 및 Open 불량을 최소화하기 위해 챔버 내 플라즈마 조건과 가스 분사 타이밍 최적화 작업이 연속적으로 수행됩니다. 막질 특성 향상을 통해 Junction Leakage나 절연막 Crack을 방지하고 웨이퍼 전체의 Uniformity를 제어하는 정밀 분석 기술도 중요하게 다루어집니다. 면접이나 자기소개서에서는 단순 이슈 언급을 넘어 이러한 한계를 극복하기 위해 통계적 공정 제어와 데이터 분석 기법을 어떻게 적용할지 논리적으로 풀어나가시는 전략을 추천합니다. ​응원하겠습니다.

    2026.09.13


  • 개미는오늘도뚠뚠삼성전자
    코부사장 ∙ 채택률 73%
    회사
    일치

    안녕하세요 멘티님, 취업준비로 고생많습니다. 작성하신 내용에 대한 답변드릴께요 사실 가장 흔한 이슈 및 불량은 전공정단에서 발생한 이슈의 연장선, 파티클등으로 인한 이슈는 기본이고, 증착률과 온도상승으로 인한 회로손상등의 이슈가 있다고 이해하시면 되겠습니다.

    2026.09.13


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