회사/산업 · 삼성전자 / 공정기술
해상도&DOF의 trade off 관계, wafer defect, align, overlay, MPT, Focus와 Energy 문제로 인한 CD 열화, EUV 도입, PR profile(T-top, sliming 등) 이런것들은 알고 있는데 EUV로 가도 노광과 PR 기작이 다를뿐 더 미세한 공정을 하기 위해서 해결해야 할 문제는 KrF, ArF랑 비슷하지 않나 싶습니다... 최근 2-3년 내에 새로 발생한 문제가 있을까요?
2025.02.16
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특정 부서에 대해서만 어필해서 작성하는 것이 좋은지 아니면 전체에 대해서 어필하는것이 좋은지 궁금합니다 예시로 삼성전자에 평가및분석 직무로 뽑는다면 PE 팀 품질 팀 등등 여러 부서가 있는것으로 알고있습니다!
안녕하세요, 삼성전자 4번 문항에서 공정실습을 했고 ~~문제점이 생겨서 ~~논문과 자료를 찾아보면서 왜 문제가 발생했는지 원인을 판단했습니다. 라고 적었습니다. 그 뒤로는 배운점을 적으려고 하는데 글자수 제한으로 인해 쓸 수가 없는데 내용을 조금 줄이고 뒤에 배운점을 쓰는게 좋을까요..?
안녕하세요 삼성전자 공정기술 취업을 준비하고 있는 2월 졸업생 입니다. 학벌, 학점은 크게 모난 부분이 없다고 생각하고 있는데 직무 관련 경험이 부족한 것 같아 관련 스펙 준비 중 일본계 반도체 소부장 중견기업 인턴에 합격하게 되었습니다. 하이닉스와 삼성전자 펩 안에 들어가서 직무를 수행할 수 있는 경험은 얻을 수 있을것으로 보이나 회사가 후공정 테스트 장비를 만드는 회사라 이 부분도 제가 내부에서 얻은 인사이트나 배움 같은 부분을 자소서에 녹여도 괜찮을지 고민입니다. 저는 전공정 일을 하고싶으나 공백기보다 후공정 테스트 장비 회사에서 인턴을 하는게 좋다고 생각하여 인턴을 진행할 것 같은데 마지막으로 이 경험이 후에 제 커리어에 독이되지 않을지 문득 걱정되어 멘토님들께 질문드립니다. 감사합니다.
특정 부서에 대해서만 어필해서 작성하는 것이 좋은지 아니면 전체에 대해서 어필하는것이 좋은지 궁금합니다 예시로 삼성전자에 평가및분석 직무로 뽑는다면 PE 팀 품질 팀 등등 여러 부서가 있는것으로 알고있습니다!
안녕하세요, 삼성전자 4번 문항에서 공정실습을 했고 ~~문제점이 생겨서 ~~논문과 자료를 찾아보면서 왜 문제가 발생했는지 원인을 판단했습니다. 라고 적었습니다. 그 뒤로는 배운점을 적으려고 하는데 글자수 제한으로 인해 쓸 수가 없는데 내용을 조금 줄이고 뒤에 배운점을 쓰는게 좋을까요..?
안녕하세요 삼성전자 공정기술 취업을 준비하고 있는 2월 졸업생 입니다. 학벌, 학점은 크게 모난 부분이 없다고 생각하고 있는데 직무 관련 경험이 부족한 것 같아 관련 스펙 준비 중 일본계 반도체 소부장 중견기업 인턴에 합격하게 되었습니다. 하이닉스와 삼성전자 펩 안에 들어가서 직무를 수행할 수 있는 경험은 얻을 수 있을것으로 보이나 회사가 후공정 테스트 장비를 만드는 회사라 이 부분도 제가 내부에서 얻은 인사이트나 배움 같은 부분을 자소서에 녹여도 괜찮을지 고민입니다. 저는 전공정 일을 하고싶으나 공백기보다 후공정 테스트 장비 회사에서 인턴을 하는게 좋다고 생각하여 인턴을 진행할 것 같은데 마지막으로 이 경험이 후에 제 커리어에 독이되지 않을지 문득 걱정되어 멘토님들께 질문드립니다. 감사합니다.
답변 8
채택된 답변지원자님~ 포토 공정에 대해 정말 깊이 고민하고 계시네요! 말씀하신 해상도&DOF trade-off, wafer defect, overlay, CD 열화, EUV 도입 등은 여전히 중요한 이슈들이고, EUV로 가더라도 기본적인 문제들은 KrF, ArF와 비슷하다는 점도 잘 짚으셨습니다~! 하지만 최근 2~3년 내에 새롭게 부각된 문제들도 있어서 함께 살펴보면 좋을 것 같아요! 우선, EUV 공정에서의 Stochastic Variation 문제가 큰 이슈입니다! EUV는 광원 파장이 짧아 해상도가 뛰어나지만, 광자가 부족해서 Shot Noise 문제가 발생할 가능성이 크고, 이에 따라 Line Edge Roughness (LER)와 Critical Dimension Uniformity (CDU) 저하가 심각해지고 있어요~ 기존 ArF 공정 대비 더 낮은 광량을 사용하기 때문에 PR의 반응성이 균일하지 않은 경우도 있고, 이를 보완하기 위해 High-N 액침 기술도 연구되고 있답니다~ 또한, EUV 마스크 결함 관리도 중요한 문제예요! 기존 DUV 공정에서는 크롬 마스크를 사용했지만, EUV는 반사형 멀티레이어 마스크를 쓰기 때문에 Defect-free 마스크 제작이 훨씬 어려워졌어요~ 그리고 Pellicle이 기존 ArF보다 더 얇고 내구성이 약해서, 마스크 오염 문제도 크죠~ Pellicle이 완전히 깨지지 않더라도 EUV의 높은 광량 때문에 성능이 저하될 수 있어 개선이 필요한 상황입니다! 한편, 하이브리드 패터닝 기법도 최근 주목받고 있어요~ 단일 EUV 패터닝만으로는 불량률이 높아져서, ArF와 EUV를 조합한 Multiple Patterning 기법이 여전히 연구되고 있습니다! 예를 들면, EUV 단독 공정이 아니라 EUV와 DUV를 결합하여 패턴을 형성하는 방식이 있죠~ 결국, EUV 공정으로 가더라도 기존 노광 기작과 비슷한 문제들이 남아 있지만, 새로운 광원과 마스크 구조로 인해 해결해야 할 난제들이 추가된 상황이에요! 지원자님처럼 이미 핵심 개념을 잘 알고 계시면, 최신 이슈를 기반으로 더 깊이 있는 고민을 해보는 것도 좋겠네요~! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
안녕하세요 멘티님 아무래도 EUV 펠리클 문제가 개선해야 할 부분 중 가장 큰 부분이겠죠? 추가적으로 포토 공정에서는 다양한 고질적인 문제도 많이 존재합니다. 설비로 인한 문제도 있을 것이고, 공수가 많이 들어 고치지 못하고 먹고 들어가는 그러한 문제들도 존재할것입니다. 불량은 멘티님께서 언급해주신 것 처럼 포토공정만의 문제도 있을 것이지만, 타공정에 의해서 depo 시 파티클로 인한 문제, etch 후 원하는 cd 구현이 불가능한 등의 문제점도 존재합니다. 멘티님의 취업에 좋은 결과 있길 바랄게요~
