직무 · 삼성전자 / 공정기술
안녕하세요, 메모리반도체 CVD 공정에 관심 깊은 학생입니다. 현재 BCAT의 TiN barrier metal 공정의 전압과 저항을 최소화 하는 게 현재 DRAM의 CVD 공정에서의 이슈로 알고 있습니다. 이에 따라 현재 이행중인 방안, 혹은 D램에서 CVD 공정 관련하여 다른 이슈가 있으면 자세히 알고 싶습니다!
2023.04.13
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저는 화학공학과를 졸업예정이고, 반도체나 배터리 업계에 관심이 있어 취준중입니다. 좋은 기회로 반도체 테스트 장비 회사에 채용전환형 인턴이 되었는데요, 직무가 si/pi simulation이라고, 전자 회로의 RLC 신호 무결성을 테스트하는 직무입니다. 제가 원하는 직무는 공정기술이나 생산관리 이쪽인데요, 반도체 업계라서 인턴을 하고 그만둘지, 정규직으로 전환하면서 취준을 할 지 고민이 됩니다. 정규직으로 전환을 한다면 향후 면접을 볼 때 제가 이 직무에 관심이 있는 것 처럼 보여, 왜 공정기술 직무에 뜬금없이 지원했는지 면접분이 의문이실 것 같아서 말입니다... 아니라면 어떻게 엮을 수 있을까요? 엮을 수 없다면 인턴한 후 전환을 시원하게 포기할 생각입니다. 현직자 분들의 답변 기다리겠습니다. 감사합니다
Conductor Etch에서 ICP type, dielectric Etch에서 CCP type을 활용하는 이유가 무엇일까요?
안녕하세요 삼성전자 공정기술 취업을 준비하고 있는 2월 졸업생 입니다. 학벌, 학점은 크게 모난 부분이 없다고 생각하고 있는데 직무 관련 경험이 부족한 것 같아 관련 스펙 준비 중 일본계 반도체 소부장 중견기업 인턴에 합격하게 되었습니다. 하이닉스와 삼성전자 펩 안에 들어가서 직무를 수행할 수 있는 경험은 얻을 수 있을것으로 보이나 회사가 후공정 테스트 장비를 만드는 회사라 이 부분도 제가 내부에서 얻은 인사이트나 배움 같은 부분을 자소서에 녹여도 괜찮을지 고민입니다. 저는 전공정 일을 하고싶으나 공백기보다 후공정 테스트 장비 회사에서 인턴을 하는게 좋다고 생각하여 인턴을 진행할 것 같은데 마지막으로 이 경험이 후에 제 커리어에 독이되지 않을지 문득 걱정되어 멘토님들께 질문드립니다. 감사합니다.
저는 화학공학과를 졸업예정이고, 반도체나 배터리 업계에 관심이 있어 취준중입니다. 좋은 기회로 반도체 테스트 장비 회사에 채용전환형 인턴이 되었는데요, 직무가 si/pi simulation이라고, 전자 회로의 RLC 신호 무결성을 테스트하는 직무입니다. 제가 원하는 직무는 공정기술이나 생산관리 이쪽인데요, 반도체 업계라서 인턴을 하고 그만둘지, 정규직으로 전환하면서 취준을 할 지 고민이 됩니다. 정규직으로 전환을 한다면 향후 면접을 볼 때 제가 이 직무에 관심이 있는 것 처럼 보여, 왜 공정기술 직무에 뜬금없이 지원했는지 면접분이 의문이실 것 같아서 말입니다... 아니라면 어떻게 엮을 수 있을까요? 엮을 수 없다면 인턴한 후 전환을 시원하게 포기할 생각입니다. 현직자 분들의 답변 기다리겠습니다. 감사합니다
Conductor Etch에서 ICP type, dielectric Etch에서 CCP type을 활용하는 이유가 무엇일까요?
안녕하세요 삼성전자 공정기술 취업을 준비하고 있는 2월 졸업생 입니다. 학벌, 학점은 크게 모난 부분이 없다고 생각하고 있는데 직무 관련 경험이 부족한 것 같아 관련 스펙 준비 중 일본계 반도체 소부장 중견기업 인턴에 합격하게 되었습니다. 하이닉스와 삼성전자 펩 안에 들어가서 직무를 수행할 수 있는 경험은 얻을 수 있을것으로 보이나 회사가 후공정 테스트 장비를 만드는 회사라 이 부분도 제가 내부에서 얻은 인사이트나 배움 같은 부분을 자소서에 녹여도 괜찮을지 고민입니다. 저는 전공정 일을 하고싶으나 공백기보다 후공정 테스트 장비 회사에서 인턴을 하는게 좋다고 생각하여 인턴을 진행할 것 같은데 마지막으로 이 경험이 후에 제 커리어에 독이되지 않을지 문득 걱정되어 멘토님들께 질문드립니다. 감사합니다.
답변 4
채택된 답변안녕하세요, 메모리반도체의 CVD 공정과 관련된 이슈에 대해 궁금하신 내용에 대해 답변드리겠습니다. BCAT의 TiN barrier metal 공정의 전압과 저항을 최소화 하는 것은 DRAM의 CVD 공정에서 중요한 이슈 중 하나입니다. TiN barrier metal은 DRAM의 셀에 필요한 capacitor의 전극을 형성하기 위해 사용되며, 이 과정에서 전압과 저항의 최적화가 필요합니다. 이를 위해 현재 적용 중인 방안 중 하나는, 고온으로 인한 CVD 공정 중 TiN 박막의 결함 형성을 최소화하기 위해 산소 플라즈마 전극 처리를 적용하는 것입니다. 또한, 알루미늄 산화물 박막과 TiN 박막 간의 결함을 최소화하기 위해 공정 변수와 알루미늄 산화물 박막의 두께를 조절하는 것도 중요한 방안 중 하나입니다. 그 외에도, DRAM의 CVD 공정에서 발생하는 다양한 이슈들이 있을 수 있습니다. 예를 들어, 고온에서 발생하는 스트레스로 인한 박막 결함, 배출 가스의 처리, 재료의 선택 및 적용 등이 그 예입니다. 이러한 이슈들은 각 업체에서 독자적으로 다양한 방법으로 해결하고 있으며, 연구 및 개발이 지속적으로 이루어지고 있습니다. 이와 관련하여 더 자세한 내용이 필요하시다면, 관련된 학술 논문이나 기술 보고서를 참고하시는 것이 좋을 것입니다.
댓글 1
2023.04.13
감사합니다. 추가적으로, "알루미늄 산화물 박막과 TiN 박막 간의 결함을 최소화", "TiN 박막의 결함 형성을 최소화"에서 결함이라는 것은 TiN 박막에서 void나 hillock 발생 / CVD 과정 중 layer 사이의 particle 발생 등을 의미하시는 것인지 추가적으로 여쭙고 싶습니다!!
