안녕하세요, 메모리반도체의 CVD 공정과 관련된 이슈에 대해 궁금하신 내용에 대해 답변드리겠습니다.

BCAT의 TiN barrier metal 공정의 전압과 저항을 최소화 하는 것은 DRAM의 CVD 공정에서 중요한 이슈 중 하나입니다. TiN barrier metal은 DRAM의 셀에 필요한 capacitor의 전극을 형성하기 위해 사용되며, 이 과정에서 전압과 저항의 최적화가 필요합니다.

이를 위해 현재 적용 중인 방안 중 하나는, 고온으로 인한 CVD 공정 중 TiN 박막의 결함 형성을 최소화하기 위해 산소 플라즈마 전극 처리를 적용하는 것입니다. 또한, 알루미늄 산화물 박막과 TiN 박막 간의 결함을 최소화하기 위해 공정 변수와 알루미늄 산화물 박막의 두께를 조절하는 것도 중요한 방안 중 하나입니다.

그 외에도, DRAM의 CVD 공정에서 발생하는 다양한 이슈들이 있을 수 있습니다. 예를 들어, 고온에서 발생하는 스트레스로 인한 박막 결함, 배출 가스의 처리, 재료의 선택 및 적용 등이 그 예입니다. 이러한 이슈들은 각 업체에서 독자적으로 다양한 방법으로 해결하고 있으며, 연구 및 개발이 지속적으로 이루어지고 있습니다.

이와 관련하여 더 자세한 내용이 필요하시다면, 관련된 학술 논문이나 기술 보고서를 참고하시는 것이 좋을 것입니다.

TiN Barrier Metal의 두께와 조성을 조절 및 TiN 코팅 기술을 사용하는 등의 방법에 대한 연구가 있습니다.

이외의 이슈라면 증착 시 재료의 열팽창/수축 문제, 공정 정밀화에 따른 이슈들이 있고 현업에서의 수율 관리를 위해 파이썬 같은 자동화 tool도 자주 사용합니다.

해외 논문이나 관련 공정 뉴스를 참고하시면 더욱 자세한 정보를 얻을 수 있습니다!

당연히 현업의 이슈는 대외비이고 관련 기술들은 국가 핵심기술로 관리가 됩니다
작성자분이 어떤 루트를 통해서 현업의 이슈를 들었다면 면접에서 이야기 하지 않는게 좋습니다
자칫 현업 기밀이 누출되었다고 판단해서 감사팀 등의 조사 및 소송이 들어갈 수도 있습니다

안녕하세요 멘티님!

죄송하지만 멘티님의 질문에 대한 답변은 대외비에 해당하기 때문에 알려드릴 수가 없습니다.
양해부탁드립니다.