직무 · 삼성전자 / 공정기술
안녕하세요, 메모리반도체 CVD 공정에 관심 깊은 학생입니다. 현재 BCAT의 TiN barrier metal 공정의 전압과 저항을 최소화 하는 게 현재 DRAM의 CVD 공정에서의 이슈로 알고 있습니다. 이에 따라 현재 이행중인 방안, 혹은 D램에서 CVD 공정 관련하여 다른 이슈가 있으면 자세히 알고 싶습니다!
2023.04.13
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대기업 여자 나이 32살 나이컷 있는지 궁금합니다 신입 위주로 지원 중인데 아예 불가능 한건가요
안녕하세요 삼성전자ds 공종기술 직무 희망하고 이번 상반기에 중고신입으로 지원할 예정입니다 제가 현재 영어는 토스 ih로 있고(만료x) 2022년에 중국어 hsk 4급을 취득했었습니다 우선 취미로 취득했고 나중에는 TSC 4급이나 HSK 5급 취득할 예정입니다 시기상 상반기 공고 나오기 전에 갱신하기는 어려울 것 같아서 예전에 취득했던 hsk4급을 기입해도 괜찮을지 고민입니다 (구글 검색 시 중국어도 2년이더라고요) 상반기 떨어지면 바로 자격증 딸 생각입니다
이번 하반기에 삼성 메공기 서탈, 하닉 양기 면탈했습니다. 다음 상반기 지원을 위해 어떤 스펙을 쌓아야할지 고민돼서 질문드립니다. 서성한 신소재공학과 학점 3.8/4.5 오픽 IH SK청년 hypo 수료(반도체 온라인 교육) 반도체 학술 동아리 1년 반도체 공정 조건 최적화 연구 경험 렛유인에서 하는 데이터분석 교육이나 adsp 공부하려고 생각 중인데 혹시 또 할만한 활동이 있을까요? 감사합니다.
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답변 4
채택된 답변안녕하세요, 메모리반도체의 CVD 공정과 관련된 이슈에 대해 궁금하신 내용에 대해 답변드리겠습니다. BCAT의 TiN barrier metal 공정의 전압과 저항을 최소화 하는 것은 DRAM의 CVD 공정에서 중요한 이슈 중 하나입니다. TiN barrier metal은 DRAM의 셀에 필요한 capacitor의 전극을 형성하기 위해 사용되며, 이 과정에서 전압과 저항의 최적화가 필요합니다. 이를 위해 현재 적용 중인 방안 중 하나는, 고온으로 인한 CVD 공정 중 TiN 박막의 결함 형성을 최소화하기 위해 산소 플라즈마 전극 처리를 적용하는 것입니다. 또한, 알루미늄 산화물 박막과 TiN 박막 간의 결함을 최소화하기 위해 공정 변수와 알루미늄 산화물 박막의 두께를 조절하는 것도 중요한 방안 중 하나입니다. 그 외에도, DRAM의 CVD 공정에서 발생하는 다양한 이슈들이 있을 수 있습니다. 예를 들어, 고온에서 발생하는 스트레스로 인한 박막 결함, 배출 가스의 처리, 재료의 선택 및 적용 등이 그 예입니다. 이러한 이슈들은 각 업체에서 독자적으로 다양한 방법으로 해결하고 있으며, 연구 및 개발이 지속적으로 이루어지고 있습니다. 이와 관련하여 더 자세한 내용이 필요하시다면, 관련된 학술 논문이나 기술 보고서를 참고하시는 것이 좋을 것입니다.
댓글 1
2023.04.13
감사합니다. 추가적으로, "알루미늄 산화물 박막과 TiN 박막 간의 결함을 최소화", "TiN 박막의 결함 형성을 최소화"에서 결함이라는 것은 TiN 박막에서 void나 hillock 발생 / CVD 과정 중 layer 사이의 particle 발생 등을 의미하시는 것인지 추가적으로 여쭙고 싶습니다!!
