직무 · 삼성전자 / 공정기술
DRAM Peri Tr. S/D Silicide 물질로 Co,Ni가 둘다 쓰이는지 궁금합니다. Peri Tr.중에 Co가 쓰이는게 있고 Ni가 쓰이는게 있고 이런식인 건가요??
2025.07.23
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혹시 ds 공정기술 직무 반도체 8대 공정(포토, 에치, 클린, cmp, cvd, 메탈, …) 중 여성 비율이 가장 낮은 공정이 무엇인가요?
포토 공정에서 dose와 focus mapping이나 (웨이퍼 별로 다르게 적용) 현상 속도를 제어하기위해 spin 회전수를 조절하는 방식이 사용되나요? 이걸 공정 엔지니어가 하는지 궁금합니다
메공기와 반공기은 직무적으로 어떤 차이가 있나요? 제가 반도체 관련 경험은 공정실습에서 포토와 에칭 공정 파라미터 몇개 나눠서 진행해본 경험밖에 없습니다. 이 외에도 공정 변수를 달리해서 변화를 보는 실험을 했었는데 이 경우에 메공기와 반공기 어느 곳을 쓰나 별 차이 없을까요?
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답변 5
채택된 답변지원자님 안녕하세요~! DRAM Peri(Peripheral) Transistor의 소스/드레인(S/D) 영역에서 사용하는 실리사이드(Silicide) 물질로 Co와 Ni가 모두 쓰이는지에 대한 질문 주셨네요~! 정말 현업에서 중요하게 다뤄지는 포인트를 짚으셨어요~ 결론부터 말씀드리자면, DRAM Peri Tr.의 S/D Silicide 공정에서는 Co와 Ni가 모두 사용될 수 있고, 제품 세대나 공정 조건에 따라 선택적으로 적용되는 경우가 많아요~ 꼭 둘 다 동시에 쓰인다기보다는 제품 구조, 온도 budget, 접촉 저항 요구사항 등에 따라 Co-silicide(CoSi₂) 또는 Ni-silicide(NiSi) 중 하나를 채택하는 식이에요~ CoSi₂는 전통적으로 많이 쓰여왔던 실리사이드 물질로, 비교적 안정적이고 Thermal Stability가 우수해서 공정에 여유가 있는 경우에 많이 쓰였어요~ 하지만 미세화가 진행되면서 CoSi₂는 소자 크기가 작아질수록 접촉저항이 증가하고, Junction spiking 우려가 생기는 한계가 있었죠~ 그래서 최근에는 NiSi가 많이 주목받고 있어요~ – NiSi는 낮은 온도에서 형성 가능하고 – Si 소비량이 적고, – 저항이 낮아서 소자 크기가 작을수록 유리한 특성을 보여줘요~ 특히 FinFET이나 Gate-last 공정 기반에서는 NiSi를 더 선호하는 경향이 있어요~ 다만, Ni는 thermal stability가 Co에 비해 조금 약하고, process margin이 좁을 수 있어서 모든 Peri Tr.에 바로 적용하기보다는 제품 특성에 따라 Co와 Ni 중 최적의 재료를 선택해서 적용하는 식으로 운영되는 경우가 많답니다~ 즉, DRAM Peri Tr. 내에서도 일부 라인업에는 Co가, 또 다른 세대나 설계에는 Ni가 쓰일 수 있는 구조예요~ 꼭 공정마다 고정된 게 아니라, 설계 Rule, Reliability spec, 저항 target 등을 고려해서 조정된다고 보시면 돼요~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
