Q. Etch 대상에 따른 Plasma

답변 6

• 도

  도다리쑥국삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 58% ∙

  회사

  일치

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  CCP는 플라즈마 밀도가 낮습니다. 그만큼 싸고 단순해요. ICP는 플라즈마 밀도가 높습니다. 금속 Conductor는 화학반응성이 낮아요. 금속결합은 자유 전자가 있어서 새로운 결합형성이 어렵고, 절연막은 공유결합으로 화학반응이 잘 되어요. 그래서 금속은 밀도가 더 높은 ICP를 써야하는 겁니다.

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• d

  dev.jelly삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 49% ∙

  회사

  일치

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  안녕하세요! 에치 성능을 높이기 위해서로 알고 있습니다

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• M

  Memory Department삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 83% ∙

  회사

  일치

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  지원자님, Etch 공정에서 Plasma 장비 타입을 다르게 사용하는 이유는 식각 대상 물질의 특성과 원하는 식각 성질 때문이에요~! Conductor Etch에서는 금속이나 폴리실리콘 같은 전도성 재료를 다루게 되는데, 이 경우 고이온밀도 플라즈마가 필요합니다. 그래서 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입을 활용하는데요, ICP는 고밀도의 이온을 안정적으로 공급해주면서도 전극에 인가되는 전력과는 독립적으로 플라즈마 밀도를 제어할 수 있어 높은 이방성과 빠른 식각 속도를 확보할 수 있답니다! 반면 Dielectric Etch는 절연막(SiO₂, SiN 등)을 다루게 되는데, 이 재료들은 플라즈마 화학 반응과 선택비가 중요해요. 여기서는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입이 많이 쓰입니다~ CCP는 상대적으로 낮은 플라즈마 밀도와 높은 에너지를 가진 이온을 제공하는 특성이 있어서, 절연막과 마스크 사이의 선택비를 유지하고 균일한 식각을 달성하는 데 유리해요! 즉, ICP는 빠르고 정밀한 전도체 식각에, CCP는 선택비와 균일성이 중요한 절연체 식각에 최적화된 장비라고 이해하시면 됩니다~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

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• 3

  3분커리er삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 50% ∙

  회사

  직무

  일치

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  uniformity, selectivity 특성이 더 좋은것으로 알고있습니다 도움되셨다면 채택 부탁드리겠습니다

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• 

  프로답변러YTN

  코부사장 ∙ 채택률 86%

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  멘티님, Conductor Etch에는 ICP 타입이 쓰이는 이유는 플라즈마 밀도가 높고 깊은 식각, 고정밀 가공이 가능해 미세한 도전체 패턴 구현에 적합하기 때문입니다. 반면 dielectric Etch에는 CCP 타입이 활용되는데, 이온 에너지가 충분히 높아 단단한 절연체(SiO2 등)를 효과적으로 깎을 수 있으며 균일도도 뛰어나 대면적 공정에 유리합니다. ICP와 CCP 방식은 플라즈마 생성 원리와 밀도, 에너지 제어 특성이 달라 Etch 대상별로 최적화된 선택이 이루어집니다. ICP(Inductive)는 높은 density, CCP(Capacitive)는 높은 uniformity와 이온 에너지가 특징입니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 58% ∙

  회사

  직무

  일치

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 막질 특성때문이에요 막마다 맞는 에칭방법이 다르거든요! 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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  반도체

  설계팀

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