취업 · 삼성전자 / 공정설계

Q. 반도체 Spin Coating 관련 질문입니다.

제가 학부 때 1.5cm*1.5cm wafer를 통해 TFT를 만든 경험이 있습니다. 이 때 Wafer중심부의 소자의 경우 동일한 Spec임에도 전류값이 더 적게 나왔습니다. Gate Oxide의 경우 Sol-gel용법을 이용하여 Spin Coating으로 증착해주었습니다. 이에 대한 분석을 Gate Oxide가 'Spin coating에 의해 회전 중심쪽이 두께가 두껍게 도포되고 Edge쪽이 두께가 얇게 도포되기 때문'이라고 분석했습니다. 하지만 지금 논문이나 검색을 통해 찾아본 결과 Edge쪽의 두께가 두꺼운 현상을 확인할 수 있었습니다. 학부때 기존의 제 추론이 틀린걸까요? 현직자분들께서 팩트 검증해주셨으면 좋겠습니다!