Q. [transfer curve data 해석역량 올리기]
공정실습으로 만든 반도체 소자(nMOSFET)을 이용해서 과제를 받았는데 Transfer curve(Id-Vg) 에서 Gate Voltage(0~100V), Vds=0.05V에서 Drain Current(2.23E-13~5.15E-6)인데 Subthreshold Swing이 보통 100mV로 나와야하는데 2V/Dec로 나옵니다. ... Gate Voltage가 100mV로 가정해도 Subthreshold Swing이 2mV/Dec이네요.. 현직자로서 활동을 하려면 빅데이터 분석역량이 필요하다고 생각해서 해당 과목을 들었는데 모르는 것 투성이네요.. 혹시 Subthreshold voltage가 2V/Dec가 나올 수 있나요? 반도체 규격은 L= 80um , W=90um입니다.
Q. 반도체 Fab Cleanroom 클래스별 장비
아래 반도체 장비들이 각 어떤 Class의 cleanroom에 들어가는지 알 수 있을까요?
1. 증착
2. 포토리소
3. etch
4. Diffusion 장비(산화, 이온주입)
5. cleaning/strip
6. 패키징
7. F/TEST
Q. 반도체 설계 target과 spec의 차이
MTS는 모듈 타겟 스펙이잖아요.
그런데 공정을 개선할 때는 target을 변경한다고 주로 하는데 target과 spec을 변경했다는 것은 어색한 말일까요?
또한 그렇다면 target이랑 spec은 다른 것을 지칭하는건가요? 그냥 target spec을 target이라 부르는 건가요?
target은 목표로하는 수치이고 spec은 실제 계측치에 range적인 개념인 것 같기도하고..