대학생활 · 삼성전자 / 공정설계

Q. [transfer curve data 해석역량 올리기]

공정실습으로 만든 반도체 소자(nMOSFET)을 이용해서 과제를 받았는데 Transfer curve(Id-Vg) 에서 Gate Voltage(0~100V), Vds=0.05V에서 Drain Current(2.23E-13~5.15E-6)인데 Subthreshold Swing이 보통 100mV로 나와야하는데 2V/Dec로 나옵니다. ... Gate Voltage가 100mV로 가정해도 Subthreshold Swing이 2mV/Dec이네요.. 현직자로서 활동을 하려면 빅데이터 분석역량이 필요하다고 생각해서 해당 과목을 들었는데 모르는 것 투성이네요.. 혹시 Subthreshold voltage가 2V/Dec가 나올 수 있나요? 반도체 규격은 L= 80um , W=90um입니다.