전공 · 삼성전자 / 공정설계

Q. 반도체의 CD(Critical Dimension)와 Line의 차이를 알고싶습니다.

반도체 공정 중 패터닝 공정 후 측정하게되는 CD와 (광학현미경, SEM을 이용해 2차원적으로 길이 측정) MOSFET 소자에서 Scaling down을 하며 선폭을 줄여나가는 L의 개념(Source와 Drain사이 거리)과의 차이를 알고싶습니다. 일반적으로 CD가 클수록 전류가 많이 흐르고 소자의 속도가 빨라지는 것으로 알고 있고, L이 작을수록 소자의 속도가 빨라진다 알고 있습니다. 개념적으로 CD를 측정한 것이 정확히 무엇을 측정한 것인지 감이 잘 오지 않아 질문드립니다.