Q. Reactive Ion Etch(건식식각) 에서 Bias Power의 효과
안녕하세요, 식각공정에 관심이 많은 예비 졸업자 입니다.
다름이 아니라, RIE 식각에서 Etch rate를 향상하기 위해 기판에 bias를 인가하는 방식을 사용하는 것으로 알고있는데요, 이 경우 Bias를 일반적으로 몇 W정도 인가하는지 궁금합니다. (Source Power = 50W ~ 200W)일 때
또한, Bias Power를 기판에 인가하여 etch rate을 증가시킨다고 했을 때 bias power를 인가하기 전 보다 일반적으로 대략 어느정도의 etch rate 향상률을 얻을 수 있는지도 답변해주시면 감사하겠습니다!
마지막으로, Bias Power를 인가했을 때 PR 변성은 얼마나 더 심하게 발생하게 되는지도 궁금합니다.
감사합니다.
Q. 중고신입 고민
안녕하세요 선배님들, 저는 중고신입으로 삼성전자로 취업하는것이 목표입니다.
중고신입으로 보통 뽑는 연차가 2년차 이내라고 들었습니다.
제가 중견에 취업을 한 후 2년이내에 중고신입으로 이직하지 못하면 경력직으로 이직하는 방법만 남게되는데,
경력직은 이직 난이도가 매우 높다고 들었습니다.
따라서 중견에서 2년이내로 다니면서 중고신입을 계속 도전하다가,
2년을 채웠을 때 퇴사하고 삼성전자 공정기술 직무로 1-2년 정도 지원해보는건 어떻게 생각하시나요??
이렇게 했는데도 취업이 안되면 그때가서 다른 중견기업을 중고신입으로 재취업할까 고민중입니다.
참고로 저는 남자이며 곧 만 나이 25살을 앞두고 있습니다.