화합물 반도체 제조 공정은 8가지 공정의 일부분으로 볼 수 있습니다. 특히 포토 공정은 화합물 반도체 제조 공정과 8가지 공정의 차이는 주로 불투명한 물질로 인해 발생합니다. 포토 공정에서는 각 물질이 불투명한 물질로 변화하기 때문에 이를 적절하게 제어해야 합니다. 또한 화합물 반도체 제조 공정은 다양한 연구가 필요하기 때문에 고정된 공정이 아닌 연구개발이 가능한 공정입니다.

안녕하세요.

단위 공정 자체는 화합물 반도체나 Si나 큰 차이는 없습니다.
다만 기판 물질이 다르기 때문에 물질적 특성 차이에서 오는 차이는 있을 수 있습니다.
( 간단히 SiC는 투명해서 포토 공정에서 Si와 노광 시 반사되는 양이 다릅니다 )

크게 보면 같으나, 세부적으로 보면 차이가 있을 수 있습니다. (온도라거나..)

감사합니다.

음 질문이 조금 이해가 안가는데, 반도체자체가 화합물반도체입니다. p n 모두 쓸 뿐 아니라, high k 물질사용을 위해 여러 화합물 반도체를 섞어서 절연막에 사용하기 때문이죠. 이 하나하나 공정들이 다 8대공정을 시작으로 근간이됩니다
먼저8대공정 flow 순서를 익히는걸 추천드립니다.

안녕하세요 멘티님!

기존 8대 공정의 경우 화학적 반응과 물리적 반응을 조합해서 반도체를 생산하고 있습니다.
하지만 선폭이 점점 더 미세화되면서 한계가 드러나고 있는 것이 현실입니다.
이러한 한계를 극복할 수 있는 대안으로 등장하고 있는게 화합물 반도체입니다.
물리적, 화학적 반응을 고도화시키는 대신, 반도체에 사용하는 재료 자체를 보다 유리한 재료를 사용한다는 개념이기 때문입니다.
같은 선폭이라도 더 높은 성능을 발휘할 수 있는 것이 화합물 반도체의 특징입니다.

1 기본적인 8대 프로세스는 동일하고 증착물질이 일부 다르고 그러다보니 계면의 원자재특성에 따른 세부조건들이 다르게 됩니다.
2. 계면이 상이하여 계면차이에 따른 lithography 조건들이 완전히 다릅니다. 레시피부터 사용되는 감광소재들까지요.

안녕하세요
1. 반도체 자체가 화합물 덩어리인게 아닐까 싶은데요
2. 머 재료를 성능 높은 소재로 변경해서 하면 같은 선포이라도 성능 발휘하는게 달라질 수가 잇겠죠 하지만 그만큼 단가가 높아지니 양면성이 있는데 고객들의 수요에 맞게 진행을 해야할 것 같습니다