직무 · 삼성전자 / 공정설계

Q. Dry/Wet etch에 따른 Skew 변화

자소서에 Etch skew를 최소화 한 과정을 적으려합니다. 1. Wet / Dry Etch 후 Line의 ACI-CD를 측정 2. Wet의 경우 Skew가 작은데 Dry의 경우 ADI-ACI(Skew)값이 너무 큰 값으로 도출 됨(ADI>>ACI) 3. 이유를 찾기 위해 wet과 dry의 가장 큰 차이점인 selectivty에 주목 4. development time을 다르게 한 다른 조와 비교해보니 develop time이 우리보다 짧았던 조는 Skew 값이 작은 걸 확인 5. Over develop에 의한 PR의 약화 그리고 그로 인한 PR mask의 능력 약화가 원인이 되어 PR 하부 영역까지 Dry Etch 되었다고 판단 6. Develop time 을 줄여서 새롭게 Rework 이 과정에서 제 판단이 틀린 부분이 있는지 현직자 분들의 고견을 듣고 싶습니다. 또 PPR 사용시 Wet/Dry Etch에 따른 Skew 변화를 Rough하게 라도 여쭙고 싶습니다.