Q. MBCFET 단점

답변 4

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  기흥평택하드워커삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 71% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  안녕하세요. 반도체라는게 원할 때 전류가 흐르고 원하지 않을 때 전류를 차단할 수 있또록 설계된 회로인데, 다시 말하면 전기 전도도를 제어할 수 있는 소자라는 것이죠. 그래서 가장 큰 문제점은 누설전류를 제어하는 게 핵심인데, 반도체가 공정이 더 나노화 되면서 누설전류 위험성이 더 커지고 있죠. 이를 최소화 하고자, Planar -> FinFET -> GAA -> MBCFET 바뀌고 있는 것은 알고 계시겠죠. 일단 Multi Bridge Channel FET이 GAA에서 가로로 넓게 접촉면적을 넓혀 성능도 우수하게 하고 누설 전류 컨트롤도 용이하게 한 구조이죠. 삼성전자가 MBCFET을 가지고 3nm이하 미세 공정싸움에서는 우위를 가진다고 하는데, 양산 과정에서 제대로 수율이 나와야 될 것입니다. TSMC의 높은 수율 그리고 균일한 품질 이것을 이겨서 고객들의 마음을 뺏어야겠죠. 결국에 다시 말씀드리면 기술력으로는 누설전류를 잡아주고 반도체 효과의 증대를 높여주는 최고의 기술입니다. 하지만 양산 시 수율이 잘나와야하는데 이제 그것을 보여줄 때죠. 양산 시에 새 회로에 제대로 금속 증착 이 되는지, 다른 공정들도 잘 탈 없이 잘 되는지 중간에 누설전류 흐름 계측 스텝에서 잘 넘어가는지 이것을 해야할 때입니다. 이상 답변 마치겠습니다. 채택 바랍니다.

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• l

  lIIIIl삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 79% ∙

  회사

  일치

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  나노 시트를 만드는 추가적인 공정이 있습니다 공정 단가 상승을 단점이라고 할 수 있겠네요

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• s

  stopdochillin어플라이드머티어리얼즈코리아

  코상무 ∙ 채택률 60% ∙

  직무

  일치

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  적층이 너무 높아 쉽게 무너진다는단점이 있습니다.

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• i

  iiiiiiiiiiiiiiiii삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 63% ∙

  회사

  일치

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  안녕하세요. 공정이 어렵고 그 만큼 수율 나오기 어려우며 가격이 높아집니다.

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  반도체

  설계팀

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