sige 성장 | 코멘토

Q. sige 성장

율율리미

sige epitaxy성장에 대해 몇가지 궁금합니다. 1. finfet은 nmos pmos상관없이 모두 sige을 epitaxy해서 s/d을 쓰나요? 그렇다면 implant가 불가능해서 그런건가요? 2. planar에서 s/d을 epitaxy시키는것은 s/d부분을 파내고 화합물 단결정으로 성장시키는건가요? 아님 si위에 저마늄만 성장시키는건가요?

2023.11.18

답변 2

빵
빵떡222삼성전자
코주임 ∙ 채택률 80% ∙
회사
일치
1. pmos는 esige, nmos는 si 에피탁시요 이제 임플란트로 tr 퍼포먼스가 안 나와요 ge를 pmos에서 왜 쓰는지 이해를 잘 못 하는 것 같은데 좀 찾아보셔야 할 듯요 2. 파내고 퍼포먼스 좋게 하려고 스트레스줄 수 있는 물질로 채움니다
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2023.11.18
두부르농업회사법인닥더애그주식회사
코전무 ∙ 채택률 59%
1. FinFET 구조에서는 SiGE 를 이용한 에피텍시를 통해 전자 이동성을 향상시키고 성능을 향상 시킬수 있습니다. 2. 네 맞아요 S/D 영역을 epitaxy 로 성장시키는 프로세스는 exitacial growth 라고 부르는 겁니다 에피텍시는 일반적으로 화합물 단결정이나 다 결정 실리콘과 같은 고도로 정교한 소재로 수행됩니다.
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2023.11.17
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