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Q. TCP 식각 장비의 RF bias의 용도
TCP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있습니다. 제가 사용하는 TCP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 파라미터가 존재합니다. 제 생각에는 Upper power(27MHZ)는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용이고, lower power(2MHZ)는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용이라 생각했습니다. 그런데 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문 드립니다.
2023.03.19
답변 1
- LLGENSOLLg에너지솔루션코이사 ∙ 채택률 68%
채택된 답변TCP(Inductively Coupled Plasma, ICP) 식각 장비에서 RF bias는 플라즈마 생성을 도와주는데 사용됩니다. RF bias는 진폭이 낮고 주파수가 낮은 RF 파워를 말하며, 이를 통해 원자나 이온들을 플라즈마와의 상호작용에 노출시킵니다. 이 과정에서 RF bias는 이온을 표면에 고정시켜주는 역할을 합니다. 이는 재료의 표면 처리나 증착 등 다양한 용도로 사용됩니다. 따라서, RF bias는 플라즈마의 생성과 유지뿐 아니라, 이온의 방향성 및 집속성을 조절하여 특정한 증착 혹은 식각 결과물을 만들 수 있게 해줍니다. RF bias의 값을 조절함으로써 이온의 방향성과 에너지를 조절하면서 적합한 공정을 설계할 수 있습니다. 따라서 RF bias는 TCP 식각 장비에서 중요한 역할을 합니다.
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