직무 · 삼성전자 / 반도체설계
Q. PMOS NMOS 이동도 차이 질문입니다.
PMOS는 압축응력이 작용할 떄, NMOS는 인장응력이 작용할 때 이동도가 개선된다고 들었습니다. PMOS는 si보다 격자상수가 큰 SiGe를 소스,드레인에 성장시켜 압축응력을 만든다고하는데요. 1. 왜 PMOS는 압축응력이 작용할 때, 이동도가 증가하나요? 2. 격자상수가 큰 SiGe를 소스,드레인에 성장시키는 것으로 어떻게 압축응력을 유도하나요? 감사합니다
2021.09.14
함께 읽은 질문
- Q.Lorem ipsum dolor sit amet, consectet
- Q.Lorem ipsum dolor sit amet, consectet
- Q.Lorem ipsum dolor sit amet, consectet
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.


