자소서 · SK하이닉스 / 공정기술
안녕하세요 반도체 공정 기술을 희망하는 취준생입니다. 삼전이나 하닉 자소서 직무 관련 문항을 쓸 때 제가 활동한 내용(HYPO, 공정 실습, 데이터 분석)을 다양하게 써서 저의 역량을 보여주는게 나을까요 아니면 진짜 공정 실습이나 프로젝트들로만 구성하는게 나을까요?
2025.08.08
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Etch 실습을 진행했는데 현업에서 사용하는 용어가 어떤지 궁금해서 여쭤보려고 합니다. PR/SiO2/Si 의 순서의 L/S 패턴을 식각했습니다. SiO2는 충분히 많이 형성된 상태라 Si substrate이 드러나지 않는 두께입니다. (BARC etch 내용은 관련이 적어서 생략하겠습니다.) SiO2 etch를 진행 후 PR strip 및 ashing없이 FE-SEM으로 단면을 촬영했습니다. 공정 결과물을 분석할 때 Space CD 부분의 Top CD(PR하단이자 SiO2 최상단의 Space 사이 거리)와 Bottom CD (최하단 SiO2의 사이 거리)를 측정해서 둘의 차이(Bottom CD < Top CD)를 어떤 의미로 불러야 정확할지 궁금합니다. Top CD를 ADI CD에 거의 근접하긴 하나, ADI CD는 PR 상단부의 CD를 말하는 것 같아 부정확한 것 같습니다. ACI CD라기엔 PR 제거를 안해서 정확하지 않은 거 같습니다. 그림이 첨부가 안되네요 죄송합니다.
제가 지금 자격증이 위험물기능사, 컴활1급, adsp, 오픽IH가 있습니다. 추가적으로 공정데이터분석사2급을 취득할까 고민중인데 어떤가요? 아니면 다른 자격증 추천해주실 것이 있나요?
양기쪽은 워라벨이 어떤가요? 그리고 해피프라이데이때 하루 통으로 쉴 수 있나요 아니면 반차만 가능한가요??
Etch 실습을 진행했는데 현업에서 사용하는 용어가 어떤지 궁금해서 여쭤보려고 합니다. PR/SiO2/Si 의 순서의 L/S 패턴을 식각했습니다. SiO2는 충분히 많이 형성된 상태라 Si substrate이 드러나지 않는 두께입니다. (BARC etch 내용은 관련이 적어서 생략하겠습니다.) SiO2 etch를 진행 후 PR strip 및 ashing없이 FE-SEM으로 단면을 촬영했습니다. 공정 결과물을 분석할 때 Space CD 부분의 Top CD(PR하단이자 SiO2 최상단의 Space 사이 거리)와 Bottom CD (최하단 SiO2의 사이 거리)를 측정해서 둘의 차이(Bottom CD < Top CD)를 어떤 의미로 불러야 정확할지 궁금합니다. Top CD를 ADI CD에 거의 근접하긴 하나, ADI CD는 PR 상단부의 CD를 말하는 것 같아 부정확한 것 같습니다. ACI CD라기엔 PR 제거를 안해서 정확하지 않은 거 같습니다. 그림이 첨부가 안되네요 죄송합니다.
제가 지금 자격증이 위험물기능사, 컴활1급, adsp, 오픽IH가 있습니다. 추가적으로 공정데이터분석사2급을 취득할까 고민중인데 어떤가요? 아니면 다른 자격증 추천해주실 것이 있나요?
양기쪽은 워라벨이 어떤가요? 그리고 해피프라이데이때 하루 통으로 쉴 수 있나요 아니면 반차만 가능한가요??
답변 4
채택된 답변멘티님, 반도체 자소서에 HYPO, 공정 실습, 데이터 분석 등 다양한 활동을 모두 녹여서 직무와 연관된 역량을 구체적으로 보여주는 것이 가장 효과적입니다. 실무 프로젝트나 공정 실습만 쓰는 것보다 다양한 경험을 어떻게 연결해 문제 해결 능력과 성장, 성과를 입증했는지 명확히 작성하는 것이 경쟁력을 높입니다. 반드시 각 경험이 실제 공정 기술 또는 현장 문제 개선에 어떻게 기여했는지, 그리고 데이터 분석 등 기술이 직무에 어떻게 접목될 수 있는지를 구체적으로 연결해서 서술하세요. 이를 통해 멘티님만의 차별화된 전문성과 종합적인 능력을 선명하게 어필할 수 있습니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!
