취업 · SK하이닉스 / 공정기술
Q. 하이닉스 상반기 입사날짜
화화르르화하학
보통 하이닉스 3월 채용 시작 상반기 입사날짜가 어떻게 되나요?
2025.06.12
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현재 DRAM Peri쪽 공정에서 HKMG공정은 표준으로 알고있는데요. 궁금한것은 Cell 영역을 제외한 Core,Peri 영역에서 HKMG, 정통 Poly-si Gate 를 혼용해서 쓰는건가요? 아니면 전체가 다 HKMG 구조인가요?? 감사합니다.
안녕하세요. 이력서 교육 사항 세부 내용 기재 방식에 관해 질문드립니다. 아래 두 가지 버전 중, 어떤 버전이 더 깔끔하고 읽는 입장(인사팀 & 면접)에서 이해가 잘 되는지 궁금합니다. 기간, 교육기관 등 기타 내용은 따로 적는 칸이 있고, 아래 내용은 '세부 내용' 칸에 기재할 내용입니다. 예시) OO 데이터 분석 교육, 25.00.00~25.00.00(00H), 코멘토 ◆ Ver. 1 [학습] 반도체 산업의 데이터, 데이터 시각화 학습 [프로젝트] OOO 공정 정상 진행 여부 분석 1) 공정 이상 현상 정의 2) 공정 상황과 이상 현상의 연계 및 원인 추론 3) 이론 기반 원인 분석 ◆ Ver. 2 [학습] 반도체 산업의 데이터, 데이터 시각화 학습 [프로젝트] OOO 공정 정상 진행 여부 분석 프로젝트, Recipe와 장비 FDC 데이터를 바탕으로 정상 진행 여부 판별 수행 감사합니다.
이번에 SK 하이닉스 양산기술 직무에 지원했습니다. 아직 SKCT, A!SK 결과가 나오지 않았지만 면접 관련해서 공부중입니다. 저는 신소재공학 전공으로 반도체 공정 관련해서 수업도 듣고 공부도 꾸준히 진행했습니다. 근데 소자 관련해서 너무 부족한 것 같습니다. 소자 관련해서 얼마나 공부를 해야할지 감이 안잡혀 질문드립니다. DRAM, NAND FLASH에 대해 얼마나 공부를 해야할지, SHORT CHANNEL EFFECT에 관련(DIBL, PASS-THROUGH)해서도 공부를 해야할지 아니면 공정을 훨씬 더 깊게 공부해야할지 궁금합니다. 소자도 면접때 많이 물어보시겠죠?
현재 DRAM Peri쪽 공정에서 HKMG공정은 표준으로 알고있는데요. 궁금한것은 Cell 영역을 제외한 Core,Peri 영역에서 HKMG, 정통 Poly-si Gate 를 혼용해서 쓰는건가요? 아니면 전체가 다 HKMG 구조인가요?? 감사합니다.
안녕하세요. 이력서 교육 사항 세부 내용 기재 방식에 관해 질문드립니다. 아래 두 가지 버전 중, 어떤 버전이 더 깔끔하고 읽는 입장(인사팀 & 면접)에서 이해가 잘 되는지 궁금합니다. 기간, 교육기관 등 기타 내용은 따로 적는 칸이 있고, 아래 내용은 '세부 내용' 칸에 기재할 내용입니다. 예시) OO 데이터 분석 교육, 25.00.00~25.00.00(00H), 코멘토 ◆ Ver. 1 [학습] 반도체 산업의 데이터, 데이터 시각화 학습 [프로젝트] OOO 공정 정상 진행 여부 분석 1) 공정 이상 현상 정의 2) 공정 상황과 이상 현상의 연계 및 원인 추론 3) 이론 기반 원인 분석 ◆ Ver. 2 [학습] 반도체 산업의 데이터, 데이터 시각화 학습 [프로젝트] OOO 공정 정상 진행 여부 분석 프로젝트, Recipe와 장비 FDC 데이터를 바탕으로 정상 진행 여부 판별 수행 감사합니다.
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