면접 · SK하이닉스 / 공정기술
Q. DRAM NAND 클리닝
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혹시 이 두 개에서 클리닝 공정이 어떤 차이가 있나요?
2025.05.26
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경력기술서의 총 글자수가 1000자인데 회사 내에서 한 프로젝트가 많아서 전부다 나열하려면, 공간이 부족한 상황입니다. 이런 경우에는, 인상적인 프로젝트 몇개만 적어 넣는게 나을까요? 아니면, 프로젝트들을 몇개의 큰 덩어리로 나눈다음 그것에 대해 쓰는게 나을까요?
공정 기술 공정설계 혹은 양산 기술 이런 직무로 취업할 생각인데 입상경력은 없지만 좀 오래한 운동경력을 이력서에 넣어도 될까요??
안녕하세요! SK하이닉스 양산기술 직무 지원을 준비 중인 취준생입니다. 학부 시절 팀 프로젝트에서, PVD 공정 파라미터에 따른 barrier metal(TiN)의 물성 변화를 문헌 기반으로 조사하고, SEM·XRD·EDX 등의 분석 결과를 정리하여 barrier metal로서 최적의 물성이 나올 수 있는 PVD 최적 공정 조건을 제시한 경험이 있습니다. (실제 장비를 다룬 것은 아니고, 문헌 조사 기반 발표였습니다.) 이와 관련해 두 가지 질문이 있습니다. 1. 이러한 경험이 양산기술 직무에서 수행하는 공정 최적화 업무와도 연결 지을 수 있을까요? 1-1. 혹시 이 경험이 공정개발이나 R&D 쪽에 더 적합하다면, 저는 소재-공정에 대한 이해를 바탕으로 타 부서(예: 기반기술)와 원활히 협업하여 빠른 트러블슈팅을 할 수 있다는 식으로 어필하는 것이 적절할까요? 2. 자소서에 문헌 조사 기반 프로젝트였다는 명시해냐하나요?
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답변 4
멘티님, DRAM과 NAND 모두 클리닝(세정) 공정이 필수적이지만, 구조와 공정 특성에 따라 주요 차이가 있습니다. DRAM은 평면 구조가 주류여서 RCA 세정법 등 전통적인 습식·화학 세정이 반복적으로 적용되며, 표면의 파티클, 금속, 유기물, 산화막 등을 단계적으로 제거하는 것이 핵심입니다. 반면 3D NAND는 수직 적층 구조로 고종횡비(HAR) 패턴과 복잡한 다층 구조가 특징이어서, CMP(평탄화) 후 파티클 및 부산물 제거, 적층층간 오염 제어, 질화막(NIT) 등 특정 막질 제거 등 맞춤형 클리닝이 강조되고, Dry cleaning이나 특수 케미컬 조합, FOUP 내 부산물 관리 등 추가적인 공정이 요구됩니다. 특히 3D NAND에서는 공정 단계가 길고 부산물 발생량이 많아, 웨이퍼 표면뿐 아니라 장비·캐리어 내 오염 제어까지 세정 범위가 확장되는 점이 큰 차이입니다. 요약하면, DRAM은 전통적 습식·화학 세정 중심, NAND는 적층 구조 특성상 Dry cleaning, 특수 케미컬, 부산물 관리 등 고도화된 세정이 병행된다는 점이 주요 차이입니다.
