직무 · SK하이닉스 / 공정기술

Q. Etch 공정 CD 관련 정확한 표현이 궁금합니다.

Etch 실습을 진행했는데 현업에서 사용하는 용어가 어떤지 궁금해서 여쭤보려고 합니다. PR/SiO2/Si 의 순서의 L/S 패턴을 식각했습니다. SiO2는 충분히 많이 형성된 상태라 Si substrate이 드러나지 않는 두께입니다. (BARC etch 내용은 관련이 적어서 생략하겠습니다.) SiO2 etch를 진행 후 PR strip 및 ashing없이 FE-SEM으로 단면을 촬영했습니다. 공정 결과물을 분석할 때 Space CD 부분의 Top CD(PR하단이자 SiO2 최상단의 Space 사이 거리)와 Bottom CD (최하단 SiO2의 사이 거리)를 측정해서 둘의 차이(Bottom CD < Top CD)를 어떤 의미로 불러야 정확할지 궁금합니다. Top CD를 ADI CD에 거의 근접하긴 하나, ADI CD는 PR 상단부의 CD를 말하는 것 같아 부정확한 것 같습니다. ACI CD라기엔 PR 제거를 안해서 정확하지 않은 거 같습니다. 그림이 첨부가 안되네요 죄송합니다.