직무 · SK하이닉스 / 공정기술

Q. Etch 공정의 Sidewall slope 표현 관련 궁금한 점이 있습니다.

Etch 실습을 진행했는데 현업에서 사용하는 용어가 어떤지 궁금해서 여쭤보려고 합니다. PR/SiO2/Si 의 순서의 L/S 패턴을 식각했습니다. SiO2는 충분히 많이 형성된 상태라 Si substrate이 드러나지 않는 두께입니다. (BARC etch 내용은 관련이 적어서 생략하겠습니다.) Etch profile의 Vertical한 정도를 평가하기 위해서, Sidewall Slope를 구하려고 합니다. 1. Sidewall slope가 어디선 수직선과 이루는 각도를 의미한다해서, "0도에 가까울수록 vertical하다" 라는 표현도 있고 수평면과 이루는 각이라 해서, '90도에 가까울수록 vertical하다"라는 표현도 있어서 현업에서는 어떻게 표현하는지 궁금합니다. 2. 0도에 가까운 게 맞는 경우, "4도의 공정 레시피를 최적화해서 2도로 2배 개선했다." 이런 표현이 적합할까요? 어느 쪽 표현이든 개선했다는 걸 수치적으로 나타낼 방법이 어떤 방식이 있을지 궁금합니다