직무 · SK하이닉스 / 공정기술
Q. Q. photolithography 시 development time, exposure time 조절 따른 ADI-CD변화
안녕하세요. 최근 반도체 공정실습 진행 중 photolithography를 진행했습니다. 실험은 1) development time 2) exposure time 따른 ADI-CD 측정을 따로 진행했습니다. Positive PR을 썼고, CD는 공정을 마치고 남아있는 PR패턴의 CD로 정했습니다.
현상 시간 증가 -> 타겟 CD - 결과 CD 평균 증가(+), 산포 감소
노광 증가 -> 타겟 CD - 결과 CD 평균 증가(+), 산포 감소
1. target CD가 100um이고, 예를 들어 노광, 현상 시간 증가에 따라 96(산포 1)->94(산포 0.6)->92(산포 0.5) 로 타겟과 평균값이 멀어지면 시간을 감소시키는 것이 최선일까요?
2. 보통 노광 시간 조절로 CD를 조절한다고 해서, 이유를 알고 싶습니다.
3. 노광, 현상 시간 따라 CD 평균의 감소폭이 비슷하더라고요. 마스크로 빛이 도달 안한 부분도 현상액에 크게 반응하는거면 다른 현상액을 쓸 수도 있을까요?
2. 노광 시간 조절로 CD를 조절하는 이유는 노광 과정에서의 빛의 노출 정도가 PR의 경화 정도에 직접적인 영향을 미치기 때문입니다. 노광 시간이 길어질수록 PR이 더 많이 경화되어, 결과적으로 패턴의 크기가 작아질 수 있습니다. 이는 PR의 특성과 사용된 마스크의 특성에 따라 달라질 수 있습니다.
3. 노광 및 현상 시간에 따른 CD 평균의 감소폭이 비슷한 경우, 이는 PR의 반응 특성과 현상액의 화학적 성질에 기인할 수 있습니다. 만약 마스크로 빛이 도달하지 않은 부분이 현상액에 반응한다면, 이는 PR의 특성이나 현상액의 조성에 따라 달라질 수 있습니다. 다른 현상액을 사용하는 것도 가능하지만, 그 경우 PR의 특성과 호환성을 고려해야 합니다.
2025.01.09