직무 · SK하이닉스 / 공정설계

Q. 메모리와 비메모리 반도체 최소선폭의 차이에 대해 궁금한것이 있습니다.

펭쓰

반도체 공부하는 취준생입니다. 궁금한것이 생겨 질문드립니다. 1. 삼성을 기준으로 비메모리는 2,3nm 제조공정(물론 실제 선폭이 아니라 마케팅성 표현인것은 알고 있습니다.) 등의 제조공정 기술을 갖고 있는 반면 D램은 최근 10나노급 양산계획을 발표한 것으로 알고있습니다. 이렇게 D램과 비메모리 최소선폭의 차이가 나는 이유는 무엇인가요? 제가 듣기로는 D램에서의 Capacitor의 부피 때문에 선폭을 줄이기 더 어렵다고 들은거 같은데 이 사실이 맞나요? 2. Nand flash는 왜 미세화로 가지 않고 적층화로 발전하나요? Nand Flash의 발전 방향이 미세화로 인한 성능 발전이 아니라 용량 증대이기 때문인가요? 아니면 Nand flash의 미세화에 어려움이 있나요?