Q. 메모리 vs 비메모리 제조 공정

답변 3

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  프로답변러YTN

  코부사장 ∙ 채택률 85%

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  채택된 답변

  멘티님, DRAM Peri 트랜지스터에는 HKMG(Gate Last) 공정이 적용되며, 이는 SK하이닉스가 LPDDR5X/5T에서 세계 최초로 상용화한 기술입니다. 특히 모바일 DRAM의 소형화·고속화를 위해 SiON 대신 High-K 유전체를 도입해 누설 전류를 50% 이상 감소시켰습니다. NAND Peri Cell CMOS의 경우 3D NAND 구조에서는 Gate Last(RMG) 공정이 사용되지만, HKMG 적용 여부는 제품 사양에 따라 달라집니다. DRAM과 달리 NAND는 셀 트랜지스터와 주변 회로의 전압 조건 차이로 인해 HKMG 도입 시 설계 최적화가 추가로 필요합니다. 양산 기술 직무에서는 공정별 Material/Integration 차이를 이해하고, 장비 파라미터 최적화를 통해 수율 향상을 이끄는 역량이 요구됩니다.

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  댓글 1

  민

  민수333

  작성자

  2025.05.20

  감사합니다! 추가로, HKMG를 적용하며, 그 형태는 여전히 BCAT인건가요..?!

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  어니언슾SK하이닉스

  코상무 ∙ 채택률 73% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  공정에 대한 구체적인 scheme은 대외비라 말씀드리기 어렵습니다. 다만 HKMG로 DRAM에 도입한 이력은 이미 기사화가 많이 되었기에 참고하시고 내용을 읽어보시고 연관 내용도 한번 스윽 언급 해보시면 좋을듯 합니다.

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• 하

  하닉이궁금증해소SK하이닉스

  코이사 ∙ 채택률 56% ∙

  회사

  일치

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  네 실제로 이해 하신 바가 맞습니다. 그렇게 진행 됩니다.

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