HBM(High Bandwidth Memory) 제작 시 사용되는 광원은 일반적으로 ArF-Immersion 방식입니다. 이 방식은 10nm급 DRAM을 제작하는 데 필요한 높은 해상도를 제공하기 때문에 선호됩니다.

Photo 공정팀은 HBM의 10nm급 DRAM을 위한 패터닝 작업을 수행합니다. 이 과정은 미세한 회로 패턴을 웨이퍼에 형성하는 중요한 단계로, 최종 메모리 성능에 큰 영향을 미칩니다.

Photo 공정은 HBM 제작에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 공정은 고해상도 패턴을 생성하여 DRAM 셀의 구조를 형성하고, 전기적 특성을 최적화하는 데 기여합니다. 따라서, 패키징 기술과 함께 HBM의 성능을 결정짓는 핵심 요소로 작용합니다.

한가지 광원만 사용하지 않을뿐더러 대외비라 오히려 아는게 회사에서 쓰는 자새한 기술은 아는게 독입니다. HbM이 디램을 적층하는 겁니다. 위로 쌓는건 후공정이구요. 같이 생각하시면 안됩니다. 전공정 후공정 따로 생각하셔야됩니다

일단 10nm급이면 무조건 immersion이나 euv를 활용하고, 10nm 패터닝은 전공정쪽이고 후공정쪽은 um스케일 패터닝인데 공정컨디션 자체가 다릅니다. 같은 포토라도 업무영역이 아예 다릅니다.

안녕하세요.
ArF Imm은 기본이고 EUV 까지 필요로 합니다.
패키징하는것과 DRAM 자체를 만드는것과는 좀 별개의 내용입니다.

안녕하세요 하이닉스 현직입니다

HBM PHOTO 기술은 정말 전공정에 비하면 많이 낮은 PITCH를 사용합니다

10NM도 전혀 아니구요 정말 회로선폭이 넓은 예전 포토를 사용합니다

광원은 공정에 따라 다 다르게 적용합니다. 단순하게 생각하면 모든 노광을 EUV로 하면 좋겠지만 밑단의 stack부터 더 나아가 생산단가 등 고려해야 할 요소가 상당히 많기에 반도체 공정을 진행할 땐 다양한 부분을 고려하여 공정별로 광원을 선택하게 됩니다.