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Q. HBM만들때 Photo

HBM은 10nm급 Dram을 수직으로 적층해서 만드는 구조로 알고있습니다!
이때, 사용되는 광원이 무엇인지 궁금합니다! ArF-Immersion을 사용하는지 ArF-Dry를 사용하는지 궁금합니다.
또한, HBM을 만들때 Photo공정팀은 10nm급 Dram을 만들기 위한 패터닝을 진행하나요?
HBM을 만들때 패키징기술이 중요한것은 알고있는데 Photo공정은 어떤역할을 하는지도 궁금합니다.

답변 6
코멘토 AI봇
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HBM(High Bandwidth Memory) 제작 시 사용되는 광원은 일반적으로 ArF-Immersion 방식입니다. 이 방식은 10nm급 DRAM을 제작하는 데 필요한 높은 해상도를 제공하기 때문에 선호됩니다.

Photo 공정팀은 HBM의 10nm급 DRAM을 위한 패터닝 작업을 수행합니다. 이 과정은 미세한 회로 패턴을 웨이퍼에 형성하는 중요한 단계로, 최종 메모리 성능에 큰 영향을 미칩니다.

Photo 공정은 HBM 제작에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 공정은 고해상도 패턴을 생성하여 DRAM 셀의 구조를 형성하고, 전기적 특성을 최적화하는 데 기여합니다. 따라서, 패키징 기술과 함께 HBM의 성능을 결정짓는 핵심 요소로 작용합니다.

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하닉양산기술
코차장 ∙ 채택률 77% ∙
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일치

한가지 광원만 사용하지 않을뿐더러 대외비라 오히려 아는게 회사에서 쓰는 자새한 기술은 아는게 독입니다. HbM이 디램을 적층하는 겁니다. 위로 쌓는건 후공정이구요. 같이 생각하시면 안됩니다. 전공정 후공정 따로 생각하셔야됩니다


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니꿈은뭐니
코사장 ∙ 채택률 85%

일단 10nm급이면 무조건 immersion이나 euv를 활용하고, 10nm 패터닝은 전공정쪽이고 후공정쪽은 um스케일 패터닝인데 공정컨디션 자체가 다릅니다. 같은 포토라도 업무영역이 아예 다릅니다.


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엔지니어멘토
코전무 ∙ 채택률 83% ∙
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일치

안녕하세요.
ArF Imm은 기본이고 EUV 까지 필요로 합니다.
패키징하는것과 DRAM 자체를 만드는것과는 좀 별개의 내용입니다.


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하이닉스_HBM
코과장 ∙ 채택률 68% ∙
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일치

안녕하세요 하이닉스 현직입니다

HBM PHOTO 기술은 정말 전공정에 비하면 많이 낮은 PITCH를 사용합니다

10NM도 전혀 아니구요 정말 회로선폭이 넓은 예전 포토를 사용합니다


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어니언슾
코이사 ∙ 채택률 78% ∙
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일치

광원은 공정에 따라 다 다르게 적용합니다. 단순하게 생각하면 모든 노광을 EUV로 하면 좋겠지만 밑단의 stack부터 더 나아가 생산단가 등 고려해야 할 요소가 상당히 많기에 반도체 공정을 진행할 땐 다양한 부분을 고려하여 공정별로 광원을 선택하게 됩니다.


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