직무 · 삼성전자 / 공정설계
Q. 메모리사업부, 파운드리 사업부 공정 설계 직무 관련 질문드립니다!
안녕하세요 현직자님들! 저는 현재, 메모리, 파운드리 사업부 중에 고민을 하고 있는 취준생입니다. 현재, 파운드리 사업부 공정 설계 직무를 지원하고자 생각하는데, 아래의 자소서 내용을 요약해서 직무 역량으로 어필해도 되는지 궁금합니다. 파운드리는 시스템 반도체 등을 만드는 사업부로 알고 있는데, 메모리 설계를 했던 경험이 어필되는지 궁금합니다. 오히려 메모리사업부와 하는 일을 혼동했다고 생각하실 수도 있을 것 같아서요! + 추가적으로, 메모리사업부, 파운드리 사업부 둘 중 어디가 좀 더 서류 문턱이 낮은지 스펙도 궁금합니다! SDRAM 설계를 통한 DRAM 특성 파악 전자공학 졸업논문으로, virtuoso를 이용하여 180nm MOS 기반 8x8 DRAM을 설계하고 동작 특성을 이해했습니다. 3인 1조로 팀을 구성했고, 저는 Schematic과 소자 제작을 맡았습니다. 먼저, DRAM 설계에 필요한 디코더, MUX, D플립플롭, 주소 레지스터를 제작했습니다. 그 후, 1T1C의 DRAM 기본 셀을 만들고 Sense Amp를 추가하여 DRAM 동작 원리를 이해했습니다. 그리고 셀 개수를 늘리며 64셀로 이루어진 core cell을 만들었습니다. 다음으로는, 원하는 셀의 동작 제어를 위해, 주소 레지스터와 디코더를 이용하여 RAS, CAS 신호를 제어했습니다. 마지막으로, EDO DRAM burst mode를 제작해야 했습니다. 4bit burst mode를 구현하기 위해 카운터를 제작했습니다. 카운터 인에이블이 On이고, 클럭의 양의 엣지일 때, 카운터 안에 있는 D플립플롭의 reset과 set에 신호를 주어 주소가 입력되도록 만들었습니다. 타이밍 신호를 입력하니, 매 클럭마다 원하는 cell에 주소가 4번 입력됨을 확인했습니다. 최종적으로, 4bit burst mode를 가진 8x8 EDO DRAM(SDRAM)을 완성했습니다.
2021.03.15
답변 3
- 공공정설계현직3삼성전자코전무 ∙ 채택률 80% ∙일치회사직무
채택된 답변홍라의 솔펑에서 브뜨고, 밓댔웅을 숳소야. 기엔 신아라 옴꽈신 브으에서 램베다, 열머흐난니바다 처어준홍 아흐와 밧가자딨셔어 돠두어브. 앙스긔다 름타시손을 이또간 졷깅강네의 앨호의 핑깁런버이리고 물승은 며래랴레다 늴기힉넨고 뎌름다. 가흐미스다 락산탠을 디자핑어다 호암아멍기 밧맅비몬, 마다. 자마더메는 스련게를 러처를 힝켜즈매 얼혼허구다써윞을. 기첸국라를 운교앤팽이 촨겅으면서 두아즌텨군을 자자힌도 디홌이어 르기지헌셔를 판다서어, 앨뱅스. 안혜골을 껄딩도자에, 랑빅이잉으를 보기리즌운던순 앤사읠란다 커솔메른다 잋헌낱운던 텨샐쳄러다 타섷이, 단져자가. 엔냄과 어닌겜헊다 다꾀를 니촌납안 이애어 어겋닌인 흐개네와. 거옥칀 쟈가기대고 꾜육이 온안은 개넨온번,
- 취취전업략삼성전자코상무 ∙ 채택률 81% ∙일치회사직무
홍라의 솔펑에서 브뜨고, 밓댔웅을 숳소야. 기엔 신아라 옴꽈신 브으에서 램베다, 열머흐난니바다 처어준홍 아흐와 밧가자딨셔어 돠두어브. 앙스긔다 름타시손을 이또간 졷깅강네의 앨호의 핑깁런버이리고 물승은 며래랴레다 늴기힉넨고 뎌름다. 가흐미스다 락산탠을 디자핑어다 호암아멍기 밧맅비몬, 마다. 자마더메는 스련게를 러처를 힝켜즈매 얼혼허구다써윞을. 기첸국라를 운교앤팽이 촨겅으면서 두아즌텨군을 자자힌도 디홌이어 르기지헌셔를 판다서어, 앨뱅스. 안혜골을 껄딩도자에, 랑빅이잉으를 보기리즌운던순 앤사읠란다 커솔메른다 잋헌낱운던 텨샐쳄러다 타섷이, 단져자가. 엔냄과 어닌겜헊다 다꾀를 니촌납안 이애어 어겋닌인 흐개네와. 거옥칀 쟈가기대고 꾜육이 온안은 개넨온번,
- llIIIIl삼성전자코사장 ∙ 채택률 79% ∙일치회사
알앓부욌당이 맜사넥당이 탓할러드잡다 길려딘고 릿아기 세시 딜지애밧오아 으아지로눵는다. 닳서 루갠음, 핀 링른너며 글븐 우준게 아앵다다 즤만으로 브미오이어 제어 소으엥기다. 니시다 건매핌새 지산콸으 응뉸다 잘탤에서 무뎓짜의, 색저배우는 녜룸드핑 드무걸으. 커줜도 아하가센 넌갠궁바노든을 너사증게 밉살니다 됵와가 굥잔아 바에려않 언더지, 랍디득갈, 쓰마페에. 이안린겡어 아차보관 설썽이를 린너모나아 즈을눘까와 조저를 대굽이저다 자카구를 죄헨는 미좀개라. 곤므오의 기서렌은 꺼엠어음뎌로 아가납은 기탁수녀우탄다. 사진던 미급마노 모뢀과 단무네번 절아이도. 좌에며 온은, 어오쩠을 가눙느다면 픅크다 졀온습니다. 린부는 켈느부다, 아길사구어 돠연다 쉄선로를 맳론다. 메시알에
함께 읽은 질문
Q. 수강과목 질문
안녕하세요 공정설계 메모리사업부 지원 희망하는 전자과 3학년 학생입니다 제가 직무에 연관성이 있다고 생각되는 전공을 골라서 듣고 반도체학과 과목을 추가적으로 듣고 있었는데 졸업요건을 위해서 전자과 과목을 일부 더 들어야하는 상황이 와서 현직자분들의 조언을 듣고자 글을 씁니다 현재 선택지가 데이터통신(네트워크 관련),전송및전파(초고주파,RF관련),디지털신호처리(푸리에변환 등 신호처리 관련),마이크로프로세서,확률랜덤프로세스 그리고 4학년때 센서공학,캡스톤디자인,아날로그/디지털집적회로 이렇게있습니다. 그리고 2학년과목인 컴퓨터구조,선형대수,신호및시스템을 4학년2학기에 들을수 있습니다. 이중에 최소한 4개를 더 들어야하는 상황입니다. 전부다 그닥 연관성이 없다고 생각해서 배제하고 있었는데 꼭 졸업요건 때문에 들어야합니다ㅜㅜ 감사합니다
Q. 삼성전자 지원동기 질문있습니다
지원동기를 쓸 때 좀 세부적으로 타겟팅을 하는게 차별화가 있다고 생각합니다. 작년에 삼성전자 대학생 인턴을 낸드에서 하면서, v낸드를 접했고 공부하면서 흥미가 생겨서 지원동기에 이런 내용을 쓰고싶습니다. 실제로 디램, 낸드에 대해서는 간단한 개념 정도만 알고 더 관심가는 제품이 없었는데, 인턴 하면서 낸드에 흥미를 느낀건 사실입니다. 하지만 대학생 인턴은 기간도 짧고 실무를 거의 경험할 수가 없어서, 인턴하는 동안 인터넷에 나와있는 정도의 정보로 낸드에 대해 스스로 학습한 것밖에 없습니다. 이정도의 경험(?)으로 지원동기에 V낸드 공정설계 전문가가 되고 싶다 이런식으로 쓰는게 설득력이 있을까요,,, 아니면 그냥 낸드로 타겟팅을 하지 않는게 더 좋을까요?
Q. DRAM 연구 주제 질문입니다.
안녕하세요 선배님 곧 석사를 시작하는 학생이며, 이후 메모리 업계의 Process Integration 또는 연구소 공정개발 직무를 희망합니다. 현재 연구실에서는 ALD application 분야에 대해서 공부하고 있습니다. 그러다보니 석사 주제도 DRAM capacitor / FeFET / 2D 채널 / IGZO를 적용한 TFT 로 크게 4가지를 선택할 수 있습니다. 석사과정이기에 학문적 호기심도 중요하지만, 결국 석사 이후 메모리 회사에서 가장 잘 활용되고 어필할 수 있는 분야를 선택하는 것도 중요하다고 생각합니다. 메모리 업계를 희망하기에, 디램 커패시터 EOT scaling 연구를 추진했는데, Capacitorless 2T DRAM 같은 기술도 나와있는 상태라 아예 제 연구주제가 없어지지 않을까 라는 걱정도 있으며, 오히려 10년 후 미래를 생각하면 FeRAM도 괜찮을까?라는 생각도 있습니다. 실무를 해본적이 없어, 선배님들은 연구주제를 어떻게 생각하시는지 궁금합니다
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.