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Q. 삼성전자 반도체연구소
석사과정동안 나노선 소자의 전기적 전도특성을 물리적으로 분석하는 연구를 진행하였습니다. 조금 더 구체적으로는 ALD를 이용하여 나노선을 전체적으로 감싸는 Gate all around 구조로 소자 제작하여 나노선 소자 전자 수송현상의 gate 의존성 실험을 진행하였습니다. 반도체 연구소에 DRAM TD, FLASH TD, Logic TD, CIS TD, 차세대 반도체 TD 등 여러 부서가 있는 것으로 알고 있습니다. 직무 관련해서 gate all around 혹은 MBCFET 와 가장 관련있는 부서가 어떤 부서인가요? 그리고 나노선 소자 측정 뿐만아니라 소자 제작도 제 손으로 직접 모든 장비 혼자서 운용하면서 제작해봤습니다. 소자특성분석 그리고 공정 이 두 부분 모두 반도체 연구소 지원 시 어필이 가능한가요?
2021.08.20
답변 3
- mmasteric삼성전자코부사장 ∙ 채택률 76% ∙일치회사
채택된 답변로직 TD가 제일 맞습니다 나머지는 제품위주로 신규레시피 짜는곳입니다 그리고 적으신 내용은 모두 어필가능합니다
- 공공정설계현직3삼성전자코전무 ∙ 채택률 80% ∙일치회사채택된 답변
엄청 좋은 경험을 가지고 있으시네요 TD가 지금은 제일 맞습니다. 현재 딱 그 공정을 하고 있으며 개발중이니까요 양산을 위해 PA로 넘어갈 수도 있는데 그냥 TD로 가시는게 더 좋아보입니다. 그리고 마지막에 말씀하신것도 둘다 어필 가능합니다
- llIIIIl삼성전자코사장 ∙ 채택률 79% ∙일치회사채택된 답변
GAA를 개발하는 곳은 Logic TD 입니다
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