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안녕하세요 dram에 대해 질문이 있습니다. dram에 대해 공부하던 중 subarray bank bank-group 등에 대해 알게 되었습니다, 그런데 subarray가 정확히 무엇인지 글마다 약간씩 설명도 달라 이해가 잘 안 됩니다. 그래서 block과 subarray의 차이에 대해 알고 싶습니다. 또한 bank구조가 bank group으로 발전하면서 속도가 더 빨라졌다고 하는데 이 부분이 정확한 이해가 어렵습니다. 설명해주시면 감사하겠습니다. bank가 여러개 있고 각각에 대한 명령을 병렬로 처리할 수 있다면 bank group이 필요없을 텐데 bank group이 있는 이유를 모르겠습니다. prefetch나 interleaving등등 포함해서 설명해주시면 감사하겠습니다. 그리고 채널이나 랭크 등등에 대해서도 알고 계시면 간단한 설명 부탁드립니다. 감사합니다.
석사과정동안 나노선 소자의 전기적 전도특성을 물리적으로 분석하는 연구를 진행하였습니다. 조금 더 구체적으로는 ALD를 이용하여 나노선을 전체적으로 감싸는 Gate all around 구조로 소자 제작하여 나노선 소자 전자 수송현상의 gate 의존성 실험을 진행하였습니다. 반도체 연구소에 DRAM TD, FLASH TD, Logic TD, CIS TD, 차세대 반도체 TD 등 여러 부서가 있는 것으로 알고 있습니다. 직무 관련해서 gate all around 혹은 MBCFET 와 가장 관련있는 부서가 어떤 부서인가요? 그리고 나노선 소자 측정 뿐만아니라 소자 제작도 제 손으로 직접 모든 장비 혼자서 운용하면서 제작해봤습니다. 소자특성분석 그리고 공정 이 두 부분 모두 반도체 연구소 지원 시 어필이 가능한가요?
1. TD, PA, PIE 팀과 기술팀, 제조팀, 양산팀이 1:1로 매칭되는 개념인 줄 알았는데 찾아보니까 조금 다른 것 같더라고요 저 둘의 차이가 뭔가요? 2.하나의 사업부 안에서 TD, PA, PIE 팀이 구분되는 건가요? 하나의 사업부 안에있는 하나의 직무 안에서 TD, PA, PIE 팀이 구분되는 건가요? 3. PA 부서같은 경우는 반도체 연구소에 해당하는 팀인가요 아니면 그냥 개별 사업부 안에 있는 팀인가요?
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