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Q. 증착공정 uniformity

안녕하세요 반도체공정실습을 하면서 산화막 증착 공정을 진행해봤는데요, 웨이퍼 내 dep rate를 시각화 해보니 특정방향으로 dep rate가 증가하는 경향성을 볼 수 있었습니다. 이렇게 불균일한 특성을 보이는 원인에 어떤것들이 있을까요?

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증착공정의 불균일한 특성은 다양한 요인에 의해 발생할 수 있습니다. 주로 다음과 같은 요인들이 있습니다.

1. 웨이퍼의 배치 방향에 따른 증착불균일성: 증착공정에서는 웨이퍼의 배치 방향에 따라 증착불균일성이 발생할 수 있습니다. 배치방향이 방향에 따라 방향에 따라 다른 농도로 증착되기 때문입니다.

2. 웨이퍼의 고정 속도에 따른 증착불균일성: 방향과 관계없이 웨이퍼의 고정 속도로 증착하게 되면, 방향과 관계없이 증착되는 경우도 있고 방향에 따라 증착되는 경우도 있습니다.

3. 웨이퍼의 증착시간에 따른 증착불균일성: 증착시간이 너무 짧거나 너무 길게 설정되면, 증착되는 농도가 불균일하게 됩니다.

4. 웨이퍼의 증착형태에 따른 증착불균일성: 증착형태에 따라 증착되는 농도가 달라질 수 있습니다. 이는 웨이퍼의 형태에 따라 농도가 달라질 수 있기 때문입니다.

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졸린왈루
코부사장 ∙ 채택률 96%

안녕하세요 멘티님

어떤 공정을 통해 산화막을 증착하셨나요?

furnace 내로 들어가게 된다면 웨이퍼가 수직 혹은 수평 방향으로 세워져 있을테고, 가스의 흐름에 따라 경계면에 의한 영향으로 가스가 불균일하게 주입될 수도 있습니다.



댓글 0
늘솜베리
2023.06.05
답변 감사합니다! 도움이 되었습니다~ 추가로 궁금한 점이 있는데요, Ar을 sputtering으로 증착시 막이 불균일하다면 원인에 무엇이 있는지도 알려주실수있나요,,?
졸린왈루
코부사장 ∙ 채택률 96%

불균일한 원인은 매우 다양합니다.
스퍼터링 방식은 화학 기상 증착과 비교했을 때 박막 표면에서 반응이 일어나지 않습니다.
물리적으로 때려 붙이는 느낌이죠
그래서 균일성이 떨어질 수 밖에 없습니드.


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ㅅ6
코상무 ∙ 채택률 88%

안녕하세요. 멘티님


가스의 흐름, 내부 프리커서의 표면 이동, 내부 구간별 온도 차이 등 다양한 원인에 의해서 달라지게 됩니다.

웨이퍼간 간격이나 챔버 내부 온도를 고르게 해주는 등의 방법으로 이를 해결해주고자 하는 편입니다.


제 답변이 도움이 되었으면 좋겠네요.

꼭 원하시는 곳에 취업하시길 바랄게요!


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