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Q. 증착공정 uniformity

늘솜베리

안녕하세요 반도체공정실습을 하면서 산화막 증착 공정을 진행해봤는데요, 웨이퍼 내 dep rate를 시각화 해보니 특정방향으로 dep rate가 증가하는 경향성을 볼 수 있었습니다. 이렇게 불균일한 특성을 보이는 원인에 어떤것들이 있을까요?


2023.06.05

답변 3

  • ㅅ6코미코
    코상무 ∙ 채택률 87%

    채택된 답변

    안녕하세요. 멘티님 가스의 흐름, 내부 프리커서의 표면 이동, 내부 구간별 온도 차이 등 다양한 원인에 의해서 달라지게 됩니다. 웨이퍼간 간격이나 챔버 내부 온도를 고르게 해주는 등의 방법으로 이를 해결해주고자 하는 편입니다. 제 답변이 도움이 되었으면 좋겠네요. 꼭 원하시는 곳에 취업하시길 바랄게요!

    2023.06.09


  • 졸린왈루(주)KEC
    코사장 ∙ 채택률 98%

    채택된 답변

    안녕하세요 멘티님 어떤 공정을 통해 산화막을 증착하셨나요? furnace 내로 들어가게 된다면 웨이퍼가 수직 혹은 수평 방향으로 세워져 있을테고, 가스의 흐름에 따라 경계면에 의한 영향으로 가스가 불균일하게 주입될 수도 있습니다.

    2023.06.05



    댓글 1

    늘솜베리
    작성자

    2023.06.05

    답변 감사합니다! 도움이 되었습니다~ 추가로 궁금한 점이 있는데요, Ar을 sputtering으로 증착시 막이 불균일하다면 원인에 무엇이 있는지도 알려주실수있나요,,?


  • 졸린왈루(주)KEC
    코사장 ∙ 채택률 98%

    불균일한 원인은 매우 다양합니다. 스퍼터링 방식은 화학 기상 증착과 비교했을 때 박막 표면에서 반응이 일어나지 않습니다. 물리적으로 때려 붙이는 느낌이죠 그래서 균일성이 떨어질 수 밖에 없습니드.

    2023.06.05


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