직무 · 삼성전자 / 공정기술
Q. 물리적 특성과 전기적 특성에 대해서 질문드립니다.
안녕하세요. 시뮬레이션을 기반으로 MOS 커패시터를 모델링도 해보고 공정실습을 통해 제작을 해봤습니다. 그 중 C-V 분석이나 데이터 분석을 통해 게이트 및 반도체 기판 도핑농도와 산화막 두께로 부터 플랫 밴드 전압, 산화막 커패시턴스, 문턱 전압, 전기장, 전위, 캐리어 농도 등 파라미터를 도출했습니다. 제가 아직 물리적 특성과 전기적 특성을 구분을 잘 못하는 것 같습니다. 알려주시면 감사합니다. 추가로 게이트 물질이 poly-si와 metal일 때 파라미터 값이 달라지면 어떠한 것에 의해서 달라지는 것인지도 알려주시면 감사하겠습니다.
2026.03.31
답변 5
- PPRO액티브현대트랜시스코상무 ∙ 채택률 100%
채택된 답변안녕하세요 멘티님~~ 핵심만 정리하면, 물리적 특성은 구조·재료에서 “주어지는 값”(산화막 두께, 도핑농도, 유전율 등)이고, 전기적 특성은 그 결과로 “측정·도출되는 값”(C-V, Vfb, Vth, 전기장, 캐리어 분포 등)입니다. 게이트가 poly-Si vs metal일 때 차이는 일함수(work function) 차이가 핵심이라 Vfb, Vth가 변합니다. 또한 poly-Si는 공핍(poly depletion) 영향이 있어 Cox 유효값도 달라질 수 있습니다.
댓글 1
wwwestttt작성자2026.03.31
질문을 드리고 싶습니다!! 제가 시뮬레이션 중 poly-si 게이트로 진행해야 하는데 metal 게이트로 진행을 해버려서 이때 전기적 특성 결과가 예측과 달랐습니다. 그렇다면 물리적 특성이 전기적 특성에 영향을 준 것인가요?
- 멘멘토 지니KT코이사 ∙ 채택률 64%채택된 답변
● 채택 부탁드립니다 ● 물리적 특성은 재료 자체에서 결정되는 값으로 유전율 밴드구조 일함수 도핑농도처럼 구조와 물질이 바뀌지 않으면 고정되는 성질입니다. 반면 전기적 특성은 외부 전압 인가에 따라 나타나는 결과로 문턱전압 C V 특성 전기장 전위 캐리어 분포처럼 동작 중 변화하는 값입니다. 즉 물리적 특성이 기반이 되고 전기적 특성이 그 위에서 나타나는 결과입니다. poly si와 metal 차이는 일함수와 게이트 거동에서 발생합니다. poly si는 도핑에 따라 일함수가 변하고 게이트 고갈 효과로 유효 산화막 두께가 증가해 성능이 저하될 수 있습니다. 반면 metal gate는 고정된 일함수와 고갈이 없어 문턱전압 제어와 미세공정에서 훨씬 유리합니다.
- 탁탁기사삼성전자코사장 ∙ 채택률 78% ∙일치회사학교채택된 답변
도핑이나 산화막 게이트 길이 조절 그리고 width를 바꾸거나 이런것들은 모두 물리적 파타미터 조절이고 이것을 토대로 cv를 측정하고 iv 커브를 그리고 섭 쓰레숄드 볼티지 찍고 하는 이런 파생업무들이 전기적 특성을 보는거라 생각하심돼요~~
- 흰흰수염치킨삼성전자코전무 ∙ 채택률 58% ∙일치회사직무
안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 딱 구분지어서 이야기하긴 어려워요 전기적인 특성도 큰 틀에선 물리적 특성에 들어가니까요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^
- ddev.jelly삼성전자코상무 ∙ 채택률 49% ∙일치회사
달라지는게 좀 많아서 전공책이나 GPT한테 물어보시면 좋을 것 같아요
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