Q. 반도체 공정기술 에칭 연구

답변 5

• 도

  도다리쑥국삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 57% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  어떤 para의 uniformity를 측정할지 먼저 정해놓고 실험을 진행하는 게 아니라, 실험 결과를 보고 가장 중요한 para를 특정해서 진행시키는 방법이 옳을 것 같습니다. 그리고 이후 자소서나 면접 시에 제한된 조건(소량의 wafer)에서 최선의 결과를 얻기 위해 이런 식으로 접근해서 실험했다. 이렇개 풀어나가면 좋지 않을까 생각되네요

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• 3

  3분커리er삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 49% ∙

  회사

  직무

  일치

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  채택된 답변

  1. UNIFORMITY는 DEPO나 ETCH후 THK 확인할때 주로 많이 보는것으로 알고있습니다 2. 상황과 조작변인에 따라 달라서 어떤 파라미터가 중요하다 라고 말하긴 어렵지만, 주로 일반적으로는 ETCH RATE, ETCH PROFILE, SELECTRIVITY, UNIFORMITY, PC 등의 파라미터가 중요하게 생각 될 것 같습니다

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• 탁

  탁기사삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 78% ∙

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  일치

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  보통 압력이나 bias 조절했을때 b/u개념으로 uniformity를 봐야합니다. 덜 깎이고 더 깎이고 어느정도 깎이는지 uniformity를 보고 일성수준으로 들어왔을때 b/u하게 됩니다.

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  댓글 1

  가

  가장장

  작성자

  2024.06.23

  단어가 너무 어려워서 이해를 못하겠는데 일성과 B/U가 무엇인지 잘 모르겠습니다 ㅠㅠ

• 니

  니꿈은뭐니삼성전기

  코사장 ∙ 채택률 86%

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  채택된 답변

  일단 unif.는 언급하신 압력, 파워인자에 따라 전부 변하는 인풋파라메터라 모두 확인하셔야 합니다. 우선순위라면 가스와 파워인자를 꼽을수 있구요. 에칭 결과라면 측정치에서 CD값이나 에칭 slope이 주요한 아웃풋인자라 생각하시면 되겠습니다.

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• 메

  메에모리삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 48% ∙

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  일치

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  채택된 답변

  이미 출판된 논문들을 참고하시는게 좋을것 같습니다 먼저 선행된 연구들이 중점적으로 보는 측정치를 기준으로 삼으시면 될것 같아요

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