Q. 플라즈마 식각에서 undercut에 관해

답변 6

• 니

  니꿈은뭐니삼성전기

  코사장 ∙ 채택률 86%

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  채택된 답변

  1. 언더컷은 단면분석으로밖에 검출안되기 때문에 cp sem이나 fib를 통해 확인합니다. 2. 방향성을 제어하는 파라메터를 조절합니다. 3. 에칭속도와 보통 반비례하기 때문에 생산성저하로 이어질수있죠.

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  댓글 1

  늘

  늘졸린사람

  작성자

  2025.09.02

  그럼 rf power나 압력을 조절하여 mean free path를 증가시켜 이방성을 확보하는 걸까요?

• 

  프로답변러YTN

  코부사장 ∙ 채택률 85%

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  멘티님, 플라즈마 식각(예: RIE)에서 undercut 문제는 주로 SEM(주사전자현미경), FIB(집속이온빔), TEM(투과전자현미경) 등 미세구조 분석장비로 검출하며, 공정 엔지니어가 실제 식각 프로파일 단면을 관찰하여 파악합니다 Undercut 최적화는 가스 조성, 압력, RF 전력, 식각 시간 등 공정 파라미터 조절로 그레이진트 감소 및 보호막(폴리머) 형성 등 다양한 방식이 활용됩니다 파라미터 조절·폴리머 증착 등으로 등방성 억제 시 식각률 저하, 패턴 왜곡, Micro Loading 등 공정 속도와 형상 구현 간의 tradeoff가 필연적으로 발생합니다 Vertical 프로파일 구현, 식각률, 선택비, 부산물 문제 등이 최적화 과정과 항상 연계됩니다 채택부탁드리며 파이팅입니다!

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• 메

  메에모리삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 48% ∙

  회사

  일치

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  안녕하세요~! 공정 최적화는 아무래도 공정 step이 늘어나는게 큰 이슈일 것 같습니다~!

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• 탁

  탁기사삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 77% ∙

  회사

  일치

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  undetcut이 발생하면 애초에 cd sem을 찍었을때 uniformity나 cd정합성이 맞지 않습니다. 그리고 이것을 해결하기위해 에치 플라즈마 시간 파워 등 공정 조건을 새로잡게 됩니다. 그 과정중에 tem과 같은 시료도 보구요 ㅎㅎ

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• M

  Memory Department삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 82% ∙

  회사

  일치

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  지원자님, 아주 좋은 질문이에요~ 플라즈마 식각에서 undercut은 실제 현업에서도 자주 다루는 이슈랍니다! undercut 검출은 주로 SEM(주사전자현미경), FIB(집속이온빔) 단면 분석, 또는 CD-SEM(임계 치수 측정 SEM) 같은 장비로 확인해요~ 특히 단면 구조를 직접 관찰해야 정확히 파악되기 때문에 단면 분석 장비를 많이 활용한답니다~ undercut을 줄이기 위한 공정 최적화는 보통 공정 가스 조성, 압력, 전극 전력 조정 등을 통해 이방성을 높이는 방식으로 접근해요~ 예를 들어 sidewall passivation을 강화해서 옆면이 깎이지 않도록 하거나, 플라즈마 조건을 조절해 반응성과 물리적 스퍼터링 비율을 맞추는 방법이 있죠~ 하지만 이런 최적화를 하면 항상 tradeoff가 따라와요~ 대표적으로 식각 속도 저하, 선택비 감소, 잔여 polymer 형성 같은 문제가 생길 수 있어요~ 즉, undercut을 줄이려다 보면 throughput이 떨어지거나 후속 공정에서 문제가 될 수 있는 거죠~ 따라서 최적화는 항상 균형점 찾기가 핵심이에요~ 지원자님처럼 이런 부분을 이해하고 있다면 공정기술 직무에서 강점이 될 거예요! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 57% ∙

  회사

  직무

  일치

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 1) sem 같은 검사 장비 있어요 2) 공정은 동일하고 파라미터를 바꾸죠? 3) 공정시간도 있고 실무에선 너무 많아요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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