전공 · 삼성전자 / 공정기술
그동안 gate로서 poly silicon 혹은 도핑된 poly silicon이 사용되어 온 것으로 알고 있습니다. 하지만 최근 high-k 물질이 도입되면서 다시 metal로 회귀했는데요. 그 이유에 대해서 알려주시면 감사하겠습니다. 여러가지 글들을 찾아봤는데 도통 이해가 안되더라구요.
2020.06.20
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중심부와 가장자리의 CD 차이로 소자 특성이 낮아지고 수율이 낮아지는 상황일 때 1. 압력 높여서 플라즈마 충돌 증가-> 확산을 증가시켜서 중심부에 플라즈마 많아지는 거 방지 2. CHF3와 같은 폴리머 형성 가스 유량 소폭 늘려서 중심부 과식각 막음 이렇게 개선 레시피를 설계해보았는데 타당한 방안일까요? 그리고 저 두 방안은 공정 압력을 늘리면 전체적인 속도가 느려질 수 있고 또 폴리머형성 가스를 넣으면 오히려 가장자리 식각 속도도 느려질 수있다는 단점이 있는 거 같은데… 어떤 식의 대안이 좋을지 궁금합니다!
안녕하세요, 토익스피킹 시험을 봐도 110과 120점이 나오는데 지금이라도 더 공부해서 130점까지 올리는게 맞을까요..?
포토 공정에서 dose와 focus mapping이나 (웨이퍼 별로 다르게 적용) 현상 속도를 제어하기위해 spin 회전수를 조절하는 방식이 사용되나요? 이걸 공정 엔지니어가 하는지 궁금합니다
중심부와 가장자리의 CD 차이로 소자 특성이 낮아지고 수율이 낮아지는 상황일 때 1. 압력 높여서 플라즈마 충돌 증가-> 확산을 증가시켜서 중심부에 플라즈마 많아지는 거 방지 2. CHF3와 같은 폴리머 형성 가스 유량 소폭 늘려서 중심부 과식각 막음 이렇게 개선 레시피를 설계해보았는데 타당한 방안일까요? 그리고 저 두 방안은 공정 압력을 늘리면 전체적인 속도가 느려질 수 있고 또 폴리머형성 가스를 넣으면 오히려 가장자리 식각 속도도 느려질 수있다는 단점이 있는 거 같은데… 어떤 식의 대안이 좋을지 궁금합니다!
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