직무 · 삼성전자 / 공정기술

Q. Oxide Etch

SiO2 etch를 위해 Gas 구성을 할 때, CxFy, O2, Ar, N2 이렇게 구성해서 Etch를 진행하려고 합니다. 1. O2는 CxFy의 Carbon passivation을 조절하는 역할을 하면서 Etch profile에 주로 영향을 미치고 E/R은 부가적으로만 영향을 미치는 건가요? 아니면 F radical 형성을 더 도우면서 E/R에도 크게 영향을 미치나요? 2. N2가 Oxide etch에서 실질적으로 하는 역할이 궁금합니다. 세운 가설로는 1) NF3 형성으로 F radical 소모해서 => E/R 감소 2) N2가 sidewall passivation으로 Anisotropic 요소 증가 3) N2의 Plasma 안정화 4) N2의 이온화 후 Ion bombardment로 Anisotropic 요소 증가 이 중에 뭐가 실질적으로 작용할까요? 이런 효과를 위해서 현업에서 N2를 넣나요? 공정기술 직무에서 레시피 tuning하는 방식이 궁금합니다.