직장생활 · 삼성전자 / 공정설계
책에는 반도체 미세화되면서 단채널효과억제를 위해서 산화막두께를 줄였다고 나와있습니다. 그러면서 누설전류가 증가돼서 하이케이로 바꿨다고 써져있은데,, 여기서 이해가 안가는거는 단채널효과억제를 위해서 산화막 두께를 왜 줄이나요..??
2022.06.06
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사기업 공정기술, 공정설계 분야 희망하는데 토스 im2 너무 낮은가요.. 최저기준은 넘긴하는걸로 알고있는데..
안녕하세요 저는 지방사립대 3학년 전자공학과 학부생입니다. 반도체 공정쪽 연구가 하고 싶어졌고 삼전 기준 반도체 공정설계 부서를 준비하고있습니다. 솔직히 학벌과 제 지식 수준으론 힘들다고 생각이 되어 조언을 얻고자 글을 올렸습니다.. 우선 학점은 3.9 (4점 초반 목표) 어학 성적은 토익 800후반 900초반이 목표입니다. 그리고 대외활동은 반도체 공정실습 1회가 전부입니다… 제 목표는 일단 2학기 성적 향상이랑 토익 점수 준비한 뒤 겨울방학때 타대 학부 인턴활동을 하려고 합니다. 자대엔 제가 원하는 분야 연구실은 없더군요.. 그리고 졸업하면 소자 분야 대학원 진학이 목표입니다 제 고민은.. 4학년 땐 뭘해야될지 모르겠습니다. 아마 1학기땐 학점챙기고 2학기때와 방학때 학부 인턴이나 다른 연구 관련활동을 할것같긴합니다 그리고 학부 인턴 지원하기 전 어떤걸 준비할지 고민이고 또 반도체 과목이 적어 따로 공부하려는데 삼전 블로그를 이용하는데 따로 추천하시는 공부 방법이 있나요?
이번 2025 하반기 삼성전자 메모리사업부 공채 서류 작성중인 지원자입니다. 제가 이력서에 운전면허 하고 adsp 자격증을 기재 할까 생각중입니다. 다만, adsp 는 결과발표를 확인해봤을때 사전점수와 함께 합격예정라고 나와있지만, 최종 합격되는 날짜는 서류가 끝나는 날 지나서 나옵니다. 그래서 자격번호가 아직 없습니다. 이런 점들을 봤을때 adsp 자격증을 이력서에 기재안하는게 낫나요? 1. adsp 기재 안하면 운전면허도 같이 뺄까 합니다. 운전면허 하나만 작성하긴 부담이 돼서요. 이런경우 자격증에 공란으로 남겨 놓는게 낫나요? 2. 아니면 adsp와 운전면허 둘다 기재할까요?
사기업 공정기술, 공정설계 분야 희망하는데 토스 im2 너무 낮은가요.. 최저기준은 넘긴하는걸로 알고있는데..
안녕하세요 저는 지방사립대 3학년 전자공학과 학부생입니다. 반도체 공정쪽 연구가 하고 싶어졌고 삼전 기준 반도체 공정설계 부서를 준비하고있습니다. 솔직히 학벌과 제 지식 수준으론 힘들다고 생각이 되어 조언을 얻고자 글을 올렸습니다.. 우선 학점은 3.9 (4점 초반 목표) 어학 성적은 토익 800후반 900초반이 목표입니다. 그리고 대외활동은 반도체 공정실습 1회가 전부입니다… 제 목표는 일단 2학기 성적 향상이랑 토익 점수 준비한 뒤 겨울방학때 타대 학부 인턴활동을 하려고 합니다. 자대엔 제가 원하는 분야 연구실은 없더군요.. 그리고 졸업하면 소자 분야 대학원 진학이 목표입니다 제 고민은.. 4학년 땐 뭘해야될지 모르겠습니다. 아마 1학기땐 학점챙기고 2학기때와 방학때 학부 인턴이나 다른 연구 관련활동을 할것같긴합니다 그리고 학부 인턴 지원하기 전 어떤걸 준비할지 고민이고 또 반도체 과목이 적어 따로 공부하려는데 삼전 블로그를 이용하는데 따로 추천하시는 공부 방법이 있나요?
이번 2025 하반기 삼성전자 메모리사업부 공채 서류 작성중인 지원자입니다. 제가 이력서에 운전면허 하고 adsp 자격증을 기재 할까 생각중입니다. 다만, adsp 는 결과발표를 확인해봤을때 사전점수와 함께 합격예정라고 나와있지만, 최종 합격되는 날짜는 서류가 끝나는 날 지나서 나옵니다. 그래서 자격번호가 아직 없습니다. 이런 점들을 봤을때 adsp 자격증을 이력서에 기재안하는게 낫나요? 1. adsp 기재 안하면 운전면허도 같이 뺄까 합니다. 운전면허 하나만 작성하긴 부담이 돼서요. 이런경우 자격증에 공란으로 남겨 놓는게 낫나요? 2. 아니면 adsp와 운전면허 둘다 기재할까요?
답변 5
Oxide의 Capacitance 값과 연관성이 깊은데 C=e*A/t (e = 유전상수, A= 단면적, t = oxide 두께) 관련 수식이 너무 많고 복잡해서, 자세한 건 구글링 하시는 것을 추천드립니다. 결론적으로 C가 클수록 on/off를 control할 수 있는 능력이 좋아진다고 보시면 됩니다. 아래 간략하게 작성하겠습니다. 미세화가 진행 -> 단면적 감소(node의 크기와 연관) -> C의 감소를 막기 위해 t(두께)를 줄임 -> 수nm 단계에서 tunneling current 문제 발생 및 on/off 제어 어려움 -> 유전상수가 더 큰 재료로 바꿈(HKMG) -> C보완 추가적으로 HKMG는 실리콘과 다른 물질이기 때문에 실리콘과 HKMG 계면에서 결합력 문제로 인해 유전상수를 올린다고 해서 그 올린만큼 C값이 올라가지 않는다는 문제가 있습니다.
