안녕하세요.

단채널효과를 검색해보시면 아시겠지만
산화막두께 (Tox)가 중요한 지표로 들어가게 됩니다.

자세한 것은 더 찾아보시면 좋은 답을 갖을 수 있으실 것 같습니다

Gate가 채널을 더 제어히기 유리하기 때문에 산화막 두께를 줄이게 됩니다

반도체 소자 공부를 해보시는걸 추천드립니다

안녕하세요

일단 구조적으로 gate를 더 잘제어하기 위해서 산화막을 줄여왔습니다. 그 과정에서 문제가 많이 생겨 hkmg물질을 사용하는것이구요

좀 더 차근히 공부해보시는것을 추천드립니다..!

해당 교재가 어떤 건가요?
제가 아는한 Ion을 늘리기 위해서 Gate Oxide 두께를 계속 줄여왓고, 줄어든 Gate oxide 때문에 Gate lkg나 TDDB 같은 부작용이 발생했습니다
그래서 HK 막질로 대체가 된거구요

Oxide의 Capacitance 값과 연관성이 깊은데 C=e*A/t (e = 유전상수, A= 단면적, t = oxide 두께)
관련 수식이 너무 많고 복잡해서, 자세한 건 구글링 하시는 것을 추천드립니다. 결론적으로 C가 클수록 on/off를 control할 수 있는 능력이 좋아진다고 보시면 됩니다. 아래 간략하게 작성하겠습니다.

미세화가 진행 -> 단면적 감소(node의 크기와 연관) -> C의 감소를 막기 위해 t(두께)를 줄임 -> 수nm 단계에서 tunneling current 문제 발생 및 on/off 제어 어려움 -> 유전상수가 더 큰 재료로 바꿈(HKMG) -> C보완

추가적으로 HKMG는 실리콘과 다른 물질이기 때문에 실리콘과 HKMG 계면에서 결합력 문제로 인해 유전상수를 올린다고 해서 그 올린만큼 C값이 올라가지 않는다는 문제가 있습니다.