Q. HKMG에서 하이케이 쓰는 이유

답변 5

• 시

  시렝이삼성전자

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  안녕하세요. 단채널효과를 검색해보시면 아시겠지만 산화막두께 (Tox)가 중요한 지표로 들어가게 됩니다. 자세한 것은 더 찾아보시면 좋은 답을 갖을 수 있으실 것 같습니다

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• 황

  황금파이프삼성전자

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  일치

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  Oxide의 Capacitance 값과 연관성이 깊은데 C=e*A/t (e = 유전상수, A= 단면적, t = oxide 두께) 관련 수식이 너무 많고 복잡해서, 자세한 건 구글링 하시는 것을 추천드립니다. 결론적으로 C가 클수록 on/off를 control할 수 있는 능력이 좋아진다고 보시면 됩니다. 아래 간략하게 작성하겠습니다. 미세화가 진행 -> 단면적 감소(node의 크기와 연관) -> C의 감소를 막기 위해 t(두께)를 줄임 -> 수nm 단계에서 tunneling current 문제 발생 및 on/off 제어 어려움 -> 유전상수가 더 큰 재료로 바꿈(HKMG) -> C보완 추가적으로 HKMG는 실리콘과 다른 물질이기 때문에 실리콘과 HKMG 계면에서 결합력 문제로 인해 유전상수를 올린다고 해서 그 올린만큼 C값이 올라가지 않는다는 문제가 있습니다.

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• l

  lIIIIl삼성전자

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  일치

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  해당 교재가 어떤 건가요? 제가 아는한 Ion을 늘리기 위해서 Gate Oxide 두께를 계속 줄여왓고, 줄어든 Gate oxide 때문에 Gate lkg나 TDDB 같은 부작용이 발생했습니다 그래서 HK 막질로 대체가 된거구요

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• r

  radish삼성전자

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  일치

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  안녕하세요 일단 구조적으로 gate를 더 잘제어하기 위해서 산화막을 줄여왔습니다. 그 과정에서 문제가 많이 생겨 hkmg물질을 사용하는것이구요 좀 더 차근히 공부해보시는것을 추천드립니다..!

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• 어

  어피치ㅣ삼성전자

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  일치

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  Gate가 채널을 더 제어히기 유리하기 때문에 산화막 두께를 줄이게 됩니다 반도체 소자 공부를 해보시는걸 추천드립니다

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