전공 · 삼성전자 / 공정기술
회로선폭이 MOSFET의 soure와 drain 사이의 거리로 알고 있습니다. 회로선폭이 1나노미터가 줄어들수록 효율이 얼마 만큼이나 좋아지나요? 듣기로는 20%라고 하던데 논문이나 학술자료 찾아봐도 없네요..
2025.08.29
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반도체 공정기술 직무로 취업을 준비하고 있습니다. 자소서에 성격 장단점을 쓸 때 저의 단점에 성급함을 적으려고 하는데 공정기술직무에 치명적인 단점으로 보일까봐 걱정이 됩니다. 단점을 다른 것으로 바꾸는 게 좋을까요?
반도체 공기 공설 평분 워라밸이 궁금합니다. 실제 현업에서 나오는 분위기를 고려했을때 직무 만족도가 높거나 좀 더 워라밸 좋은 직무가 있을까요? 다 비슷한가요
안녕하세요. 저는 반도체 공정기술&양산기술이나 장비사 희망하는 4학년 1학기를 마친 학생입니다. 제가 이번 8월부터 26년 1월까지 6개월간 반도체 전해도금액을 생산하는 기업에 인턴으로 입사하게 되었습니다. 여기서 고민은 제가 한 과목을 수강해야 졸업이 되는데 1. 온라인 강의로 2학기에 인턴과 병행하여 빨리 졸업하는 것 2. 휴학하고 인턴에 집중하고 내년 1학기에 수업하나만 듣고 취업 준비하는것 둘 중에 고민이 됩니다. 전자는 하반기에 졸업예정자로 서류를 넣어볼 수 있다는 점이 좋지만 인턴경험을 제대로 어필할 수가 없을 것 같고 인적성이나 면접 준비를 거의 못할 수 있다는 점이 안 좋고 후자는 인턴경험을 잘 어필할 수 있고 취준할 시간도 늘어나지만 이번 하반기에 지원을 못하게 되어 단점인 것 같습니다. 주로 하반기가 채용을 많이 한다는 것과 이번에 대통령이 취임하여 일시적으로 티오가 늘고 내년부터 지옥이라는 찌라시도 있어 정말 고민입니다. 현직자 분들의 조언 부탁드립니다.
반도체 공정기술 직무로 취업을 준비하고 있습니다. 자소서에 성격 장단점을 쓸 때 저의 단점에 성급함을 적으려고 하는데 공정기술직무에 치명적인 단점으로 보일까봐 걱정이 됩니다. 단점을 다른 것으로 바꾸는 게 좋을까요?
반도체 공기 공설 평분 워라밸이 궁금합니다. 실제 현업에서 나오는 분위기를 고려했을때 직무 만족도가 높거나 좀 더 워라밸 좋은 직무가 있을까요? 다 비슷한가요
안녕하세요. 저는 반도체 공정기술&양산기술이나 장비사 희망하는 4학년 1학기를 마친 학생입니다. 제가 이번 8월부터 26년 1월까지 6개월간 반도체 전해도금액을 생산하는 기업에 인턴으로 입사하게 되었습니다. 여기서 고민은 제가 한 과목을 수강해야 졸업이 되는데 1. 온라인 강의로 2학기에 인턴과 병행하여 빨리 졸업하는 것 2. 휴학하고 인턴에 집중하고 내년 1학기에 수업하나만 듣고 취업 준비하는것 둘 중에 고민이 됩니다. 전자는 하반기에 졸업예정자로 서류를 넣어볼 수 있다는 점이 좋지만 인턴경험을 제대로 어필할 수가 없을 것 같고 인적성이나 면접 준비를 거의 못할 수 있다는 점이 안 좋고 후자는 인턴경험을 잘 어필할 수 있고 취준할 시간도 늘어나지만 이번 하반기에 지원을 못하게 되어 단점인 것 같습니다. 주로 하반기가 채용을 많이 한다는 것과 이번에 대통령이 취임하여 일시적으로 티오가 늘고 내년부터 지옥이라는 찌라시도 있어 정말 고민입니다. 현직자 분들의 조언 부탁드립니다.
답변 6
멘티님, 회로선폭이 1nm만큼 줄어들면 실제로 연산속도와 에너지 효율이 약 30~50%, 전력효율은 최대 약 50%까지 향상된다는 평가가 있으며 칩 면적도 줄고 집적도가 높아져 생산성까지 크게 올라갑니다 최신 1나노 공정에선 기존 3나노 대비 전체적으로 약 20~50% 수준의 칩 성능과 전력효율 개선이 가능하다고 예측하고 있으니, 멘티님 말씀대로 20% 이상 향상은 데이터상 충분히 타당합니다 회로 선폭이 미세해질수록 소비전력은 확실히 낮아지고, 발열 감소·속도 증가·작은 폼팩터 등 반도체 경쟁력이 대폭 강화됩니다 실제 학술자료와 업계 예측에서도 1나노 공정은 성능·효율 등 모든 부분에서 현격한 개선을 보입니다 확실하게 회로선폭 1nm 축소는 에너지와 성능에서 30~50% 효율 향상으로 정리 가능합니다 채택부탁드리며 파이팅입니다!
댓글 2
2025.08.30
혹시 자료를 어디서 확인할 수 있을까요..?
2025.08.30
혹시 자료를 어디서 확인할 수 있을까요..?
지원자님이 말씀하신 회로선폭은 보통 “게이트 길이(Lg)” 혹은 “소스와 드레인 사이의 채널 길이”를 의미하는 경우가 많아요~ 이 값이 줄어들면 트랜지스터가 더 빠르게 on/off를 전환할 수 있고, 동일한 면적에 더 많은 소자를 집적할 수 있어서 성능 향상과 전력 효율 개선이 기대됩니다! 하지만 “1나노 줄어들면 무조건 효율이 20% 향상된다”라는 식의 고정된 수치는 존재하지 않아요. 왜냐하면 공정 세대가 바뀔 때 단순히 게이트 길이만 줄어드는 게 아니라, 새로운 트랜지스터 구조(FinFET → GAA), 소재 개선(High-k/Metal Gate), 배선 저항·기생 커패시턴스 보완 등 여러 기술적 요소들이 동시에 적용되기 때문이에요~ 실제 성능 향상은 선폭 축소 효과 + 주변 기술 개선 효과가 합쳐져서 나타나는 거죠! 예를 들어, 인텔이나 TSMC, 삼성 같은 기업들이 발표하는 로드맵 자료를 보면, “노드 전환 시 성능 1520% 향상, 전력 2030% 절감” 같은 표현은 있어도, 그게 ‘1nm 줄어서 나온 정확한 수치’라기보다는 세대 전환 시 전체 공정 기술 패키지에서 얻어진 결과라고 보는 게 맞습니다~ 따라서 지원자님이 들으신 “20%”라는 건 아마도 특정 노드 전환(예: 7nm → 5nm, 5nm → 3nm)에서 업체들이 발표한 성능/전력 개선 수치를 단순화한 표현일 가능성이 커요. 즉, 회로선폭 1nm 축소가 곧바로 20% 향상이라는 공식은 없고, 세대별 발표 자료를 확인하는 게 가장 정확합니다~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
